اشتراک در خبرنامه
لطفاً نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه در کادر زیر وارد کنید.
آمار سایت
- کل کاربران ثبت شده: 1963 کاربر
- کاربران حاضر در وبگاه: 0 کاربر
- میهمانان در حال بازدید: 221 کاربر
- تمام بازدیدها: 22176116 بازدید
- بازدید ۲۴ ساعت گذشته: 14064 بازدید
کنفرانس های انجمن
همایش
اپتیک و فوتونیک،
بهمن 1403
(برگزار شد)
استفاده از مطالب ارائه شده در این پایگاه با ذکر منبع آزاد می باشد.
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:



URL: http://opsi.ir/article-1-945-fa.html
ذرات نیمه هادی مغناطیسی (گل مانند)( Cu2Zn1-xCoxSnS4 (CZCTS) ، با اندازه میکرومتر و ساختار stannite با موفقیت از روش ارزان قیمت سولو ترمال تهیه شده اند. گاف نواری اپتیکی ذرات CZCTS تقریبا بین 1.5 تا 1.23 الکترون ولت اندازه گیری شده اند که با افزاش مقدار شرکت Co در نمونه کاهش یافته است. این مقدار گاف انرژی بسیار نزدیک به مقدار بهینه برای سلول های خورشیدی فوتو ولتائیک می باشد. طیف رامان برای فاز تتراگونال، قله اصلی 309 cm-1 و 334 cm-1 را نشان می دهد.
بازنشر اطلاعات | |
![]() |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |