اشتراک در خبرنامه
لطفاً نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه در کادر زیر وارد کنید.
آمار سایت
- کل کاربران ثبت شده: 1963 کاربر
- کاربران حاضر در وبگاه: 0 کاربر
- میهمانان در حال بازدید: 200 کاربر
- تمام بازدید‌ها: 22235052 بازدید
- بازدید ۲۴ ساعت گذشته: 10904 بازدید
کنفرانس های انجمن
همایش
اپتیک و فوتونیک،
بهمن 1403
(برگزار شد)
استفاده از مطالب ارائه شده در این پایگاه با ذکر منبع آزاد می باشد.
جلد 22 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و دومین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال22 صفحات 781-778 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
safarabadi farahani N S, shadrokh Z, yazdani A, nazari P, seifi R. Study on the effect of Co density on optical properties of semiconductor Cu2Zn1-xCoxSnS4 nanocrystals. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2016; 22 :778-781
URL: http://opsi.ir/article-1-945-fa.html
URL: http://opsi.ir/article-1-945-fa.html
صفرآبادی فراهانی نسیم سادات، شادرخ زهره، یزدانی احمد، نظری پریا، سیفی رقیه. سنتز و مطالعه خواص اپتیکی نانو کریستال های آلیاژ نیمه هادی Cu2Zn1-xCoxSnS4 . مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1394; 22 () :778-781
چکیده: (3041 مشاهده)
ذرات نیمه هادی مغناطیسی (گل مانند)( Cu2Zn1-xCoxSnS4 (CZCTS) ، با اندازه میکرومتر و ساختار stannite با موفقیت از روش ارزان قیمت سولو ترمال تهیه شده اند. گاف نواری اپتیکی ذرات CZCTS تقریبا بین 1.5 تا 1.23 الکترون ولت اندازه گیری شده اند که با افزاش مقدار شرکت Co در نمونه کاهش یافته است. این مقدار گاف انرژی بسیار نزدیک به مقدار بهینه برای سلول های خورشیدی فوتو ولتائیک می باشد. طیف رامان برای فاز تتراگونال، قله اصلی 309 cm-1 و 334 cm-1 را نشان می دهد.
ارسال پیام به نویسنده مسئول
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |
