اشتراک در خبرنامه
لطفاً نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه در کادر زیر وارد کنید.
آمار سایت
- کل کاربران ثبت شده: 1963 کاربر
- کاربران حاضر در وبگاه: 0 کاربر
- میهمانان در حال بازدید: 408 کاربر
- تمام بازدید‌ها: 22137946 بازدید
- بازدید ۲۴ ساعت گذشته: 25078 بازدید
کنفرانس های انجمن
همایش
اپتیک و فوتونیک،
بهمن 1403
(برگزار شد)
استفاده از مطالب ارائه شده در این پایگاه با ذکر منبع آزاد می باشد.
سال 28، شماره 2 - ( مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و هشتمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران 1400 )
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال28 صفحات 358-355 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
abbasvand kashtiban M, shojaei S. The investigation of optoelectronic properties of Perovskite semiconductor hetero structure of MaSnI3/CsPbI3. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2022; 28 (2) :355-358
URL: http://opsi.ir/article-1-2737-fa.html
URL: http://opsi.ir/article-1-2737-fa.html
عباس وند کشتیبان مصطفی، شجاعی سعید. بررسی خواص اپتوالکترونیکی ساختار نامتجانس نیمرسانای پروسکایتی MaSnI3/CsPbI3. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1400; 28 (2) :355-358
چکیده: (704 مشاهده)
در این پژوهش ما در ابتدا خواص اپتوالکترونیکی دو سلول واحد پروسکایتی (MaSnI3 و CsPbI3 ) را به صورت جداگانه در نظر گرفتهایم و سپس اثرات تشکیل ساختار نامتجانس پروسکایتی (MaSnI3/CsPbI3 ) از این دو سلول واحد بر خواص اپتیکی و الکترونیکی آنهارا مورد مطالعه قرار دادهایم. ساختار نامتجانس مورد بررسی، از کنار هم قرار گرفتن سلولهای واحد از پروسکایتهای اشاره شده (MaSnI3 و CsPbI3) تشکیل شده است که با تغییر تعداد سلول واحد ساختار نامتجانس، شاهد تغییر شکاف باند در کل سیستم هستیم و همچنین این تغییرات در شکاف باند باعث ایجاد جابهجایی در قلهی جذبی خواهد شد.
ارسال پیام به نویسنده مسئول
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |
