اشتراک در خبرنامه
لطفاً نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه در کادر زیر وارد کنید.
آمار سایت
- کل کاربران ثبت شده: 1963 کاربر
- کاربران حاضر در وبگاه: 0 کاربر
- میهمانان در حال بازدید: 429 کاربر
- تمام بازدیدها: 22165022 بازدید
- بازدید ۲۴ ساعت گذشته: 17192 بازدید
کنفرانس های انجمن
همایش
اپتیک و فوتونیک،
بهمن 1403
(برگزار شد)
استفاده از مطالب ارائه شده در این پایگاه با ذکر منبع آزاد می باشد.
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:



URL: http://opsi.ir/article-1-996-fa.html










در این پژوهش، به منظور بررسی مشخصات فوتوولتائیک سلول خورشیدی پروسکایتی، لایه ی پروسکایت این نوع سلول ، با دو روش دومرحلهای تبخیری و دومرحله ای غوطهوری لایه نشانی شد. سپس عملکرد اولیه ی آن دو سلول های خورشیدی ساخته شده، با هم مقایسه گردید. هر چند مراحل بهینهسازی سلول ساختهشده به روش تبخیری، صورت نگرفت، اما مشخصههای ولتاژ-جریان و عملکرد آن در بازههای زمانی هفت روزه بررسی گردید. بازده(Eff)، ضریب پرشدگی(FF)، جریان اتصال کوتاه (ISC)و ولتاژ مدار باز(Voc)، سلول های ساخته شده با هر دو روش در بازه ی زمانی اشاره شده، اندازه گیری و با یکدیگر مقایسه شد. این بررسی ها نشان داد عملکرد سلولهای ساخته شده به روش تبخیری، در مقایسه با سلول دیگر پایداری زمانی نسبتاً خوبی دارد.
بازنشر اطلاعات | |
![]() |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |