اشتراک در خبرنامه
لطفاً نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه در کادر زیر وارد کنید.
آمار سایت
- کل کاربران ثبت شده: 1963 کاربر
- کاربران حاضر در وبگاه: 0 کاربر
- میهمانان در حال بازدید: 329 کاربر
- تمام بازدید‌ها: 22076851 بازدید
- بازدید ۲۴ ساعت گذشته: 17344 بازدید
کنفرانس های انجمن
همایش
اپتیک و فوتونیک،
بهمن 1403
(برگزار شد)
استفاده از مطالب ارائه شده در این پایگاه با ذکر منبع آزاد می باشد.
جلد 22 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و دومین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال22 صفحات 643-640 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Ghezelayagh M, sabet Dariani R. Fabrication of porous silicon at different porosities for optical conductive applications. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2016; 22 :640-643
URL: http://opsi.ir/article-1-988-fa.html
URL: http://opsi.ir/article-1-988-fa.html
قزل ایاغ مریم، ثابت داریانی رضا. ساخت سیلیکان متخلخل در تخلخل های مختلف جهت کاربردهای رسانای نوری . مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1394; 22 () :640-643
1- دانشگاه الزهرا
چکیده: (3049 مشاهده)
سیلیکان متخلخل در صنعت اپتوالکترونیک به خصوص در دیود های نوری و سلول های خورشیدی کاربرد بسیاری دارد. در این مقاله، سیلیکان متخلخل از ویفر سیلیکان نوع p تحت چگالی جریان های 20, 25, 30, 35 mA/cm2 و زمان خوردگی و غلظت محلول الکترولیت ثابت در فرآیند آندی سازی ساخته شد. میزان تخلخل و ضخامت لایه ها با توجه به تصاویر SEM و توسط نرم افزار Digimizer محاسبه شدند. طبق آزمایش های انجام شده با افزایش چگالی جریان خوردگی، میزان تخلخل و ضخامت لایه ها افزایش می یابد.
ارسال پیام به نویسنده مسئول
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |
