اشتراک در خبرنامه
لطفاً نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه در کادر زیر وارد کنید.
آمار سایت
- کل کاربران ثبت شده: 1961 کاربر
- کاربران حاضر در وبگاه: 0 کاربر
- میهمانان در حال بازدید: 213 کاربر
- تمام بازدید‌ها: 21769268 بازدید
- بازدید ۲۴ ساعت گذشته: 15038 بازدید
کنفرانس های انجمن
همایش
اپتیک و فوتونیک،
بهمن 1403
(برگزار شد)
استفاده از مطالب ارائه شده در این پایگاه با ذکر منبع آزاد می باشد.
جلد 21 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و یکمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال21 صفحات 1076-1073 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Ashrafganjoie M, Hassani K. Thin Film Profile Measurement Using Interferometry. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2015; 21 :1073-1076
URL: http://opsi.ir/article-1-528-fa.html
URL: http://opsi.ir/article-1-528-fa.html
اشرف گنجویی مهدی، حسنی خسرو. اندازه گیری نمایه لایه نازک با استفاده از تداخل سنجی . مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1393; 21 () :1073-1076
1- دانشگاه تهران
چکیده: (4542 مشاهده)
یکی از روش های متداول برای اندازه گیری ضخامت لایه های نازک استفاده از تداخل سنجی نوری است که به دلیل غیر مخرب بودن و عدم نیاز به کالیبراسیون بسیار مورد توجه می باشد. دقت اندازه گیری ضخامت لایه با این روش در بهترین حالت در حدود nm30- 20 بوده و تنها ضخامت میانگین لایه بدست می آید. در این مقاله ما با کمک یک میکروسکوپ تداخلی و با برازش طرح تداخلی از دو طرف پله به یک مدل نظری مناسب توانسته ایم دقت اندازه گیری را به کمتر از nm10 برسانیم و علاوه بر آن نمایه تغییرات ضخامت لایه ها را نیز بدست آوریم
ارسال پیام به نویسنده مسئول
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |
