اشتراک در خبرنامه
لطفاً نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه در کادر زیر وارد کنید.
آمار سایت
- کل کاربران ثبت شده: 1961 کاربر
- کاربران حاضر در وبگاه: 0 کاربر
- میهمانان در حال بازدید: 196 کاربر
- تمام بازدید‌ها: 21771025 بازدید
- بازدید ۲۴ ساعت گذشته: 14811 بازدید
کنفرانس های انجمن
همایش
اپتیک و فوتونیک،
بهمن 1403
(برگزار شد)
استفاده از مطالب ارائه شده در این پایگاه با ذکر منبع آزاد می باشد.
جلد 21 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و یکمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال21 صفحات 56-53 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Analysis of Optoelectronic Characteristics of Short Wavelength Transistor Laser . ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2015; 21 :53-56
URL: http://opsi.ir/article-1-460-fa.html
URL: http://opsi.ir/article-1-460-fa.html
حکاری بهزاد، کاتوزیان حسن، تقوی ایمان. تحلیل مشخصات اپتوالکترونیک لیزر ترانزیستوری طول موج کوتاه. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1393; 21 () :53-56
1- دانشگاه صنعتی امیرکبیر
2- دانشگاه کاشان
2- دانشگاه کاشان
چکیده: (4627 مشاهده)
چکیده – این مقاله به تحلیل و شبیه سازی مشخصات اپتوالکترونیک لیزر ترانزیستوری تک چاه کوانتومی با قابلیت کارکرد در طول موجهای کوتاه (336nm) می پردازد. یک مدل کنترل بار بر مبنای معادلات نرخ برای یافتن مشخصات اپتوالکترونیک لیزر ترانزیستوری مورد استفاده قرار گرفت. شبیه سازی ها نشان داد که قطعه مربوطه دارای چگالی جریان آستانه ای برابر 12.3kA/cm2 و بهره جریانی در حدود 10.6 می باشد. همچنین 30GHz پهنای باند نوری، پیک رزونانسی زیر 5dB و fmax برابر 53.4GHz برای عرض 15nm چاه کوانتومی و طول کاواک 500mm بدست آمد.
ارسال پیام به نویسنده مسئول
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |
