اشتراک در خبرنامه
لطفاً نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه در کادر زیر وارد کنید.
آمار سایت
- کل کاربران ثبت شده: 1961 کاربر
- کاربران حاضر در وبگاه: 0 کاربر
- میهمانان در حال بازدید: 231 کاربر
- تمام بازدید‌ها: 21776550 بازدید
- بازدید ۲۴ ساعت گذشته: 14309 بازدید
کنفرانس های انجمن
همایش
اپتیک و فوتونیک،
بهمن 1403
(برگزار شد)
استفاده از مطالب ارائه شده در این پایگاه با ذکر منبع آزاد می باشد.
جلد 21 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و یکمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال21 صفحات 8-5 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
A Novel Design Of InGaP/GaAs/Si Solar Cells with High Quantum Efficiency Based on Nanostructures. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2015; 21 :5-8
URL: http://opsi.ir/article-1-451-fa.html
URL: http://opsi.ir/article-1-451-fa.html
فرمانی علی، شیخی محمد حسین، دهقانی سجاد. طراحی جدید سلول خورشیدی InGaP/GaAs/Si با بازدۀ کوانتومی بالا بر پایه نانوساختار. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1393; 21 () :5-8
1- دانشگاه شیراز
چکیده: (5278 مشاهده)
در این مقاله یک سلول خورشیدی نانوساختار InGaP/GaAs/Si معرفی می گردد. برای افزایش بازدۀ کوانتومی سلول خورشیدی پیشنهادی، از تکنیک های کاهش تلفات ناشی از بازترکیب های غیرتشعشعی و افزایش ضریب جذب استفاده شده است. نتایج شبیه سازی ساختار طراحی شده نشان می دهد، که با در نظرگرفتن تطبیق شبکه بین لایه ها علاوه بر رسیدن به بازدۀ کوانتومی بالا، قسمت بیشتری از طیف نور خورشید را جذب می کند. سلول خورشیدی در نرم افزار سیلواکو ورژن 3.20.2 شبیه سازی و بازدۀ کوانتومی به 65% رسیده است.
ارسال پیام به نویسنده مسئول
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |
