اشتراک در خبرنامه
لطفاً نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه در کادر زیر وارد کنید.
آمار سایت
- کل کاربران ثبت شده: 1962 کاربر
- کاربران حاضر در وبگاه: 0 کاربر
- میهمانان در حال بازدید: 199 کاربر
- تمام بازدید‌ها: 21948792 بازدید
- بازدید ۲۴ ساعت گذشته: 37751 بازدید
کنفرانس های انجمن
همایش
اپتیک و فوتونیک،
بهمن 1403
(برگزار شد)
استفاده از مطالب ارائه شده در این پایگاه با ذکر منبع آزاد می باشد.
سال 28، شماره 2 - ( مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و هشتمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران 1400 )
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال28 صفحات 702-699 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Rahmani I, Ghanaatshoar M. Influence of Sulfurization Process Temperature on CFT Thin Film Deposited by Pulsed Laser Deposition (PLD). ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2022; 28 (2) :699-702
URL: http://opsi.ir/article-1-2660-fa.html
URL: http://opsi.ir/article-1-2660-fa.html
رحمانی ایمان، قناعت شعار مجید. اثر دمای فرآیند سولفوریزاسیون بر لایه نازک CFT لایه‌نشانی شده به روش لایه‌نشانی لیزر پالسی (PLD). مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1400; 28 (2) :699-702
1- مشهد
چکیده: (655 مشاهده)
در این پژوهش به بررسی لایه نازک Cu2FeSnS4 (CFTS) میپردازیم. ماده اولیه این لایه نازک عناصر مس، آهن و قلع هستند که ابتدا به صورت قرص درآمده و سپس از طریق فرآیند لایه‌نشانی لیزر پالسی بر روی بستر شیشهای لایه‌نشانی شدهاند. سپس این لایه نازک در دو دمای C° 550 و C° 600 در کوره سولفوریزاسیون قرار می‌گیرد تا فرآیند ادغام عنصر گوگرد در آن‌ها انجام شده و فاز CFTS تشکیل شود. نتایج تحلیل طیفهای پراش پرتو ایکس (XRD)، رامان و UV-Vis-IR این لایهها نشان میدهند که کاهش دمای پخت از C° 600 به C° 550 باعث افزایش حجم و کیفیت فاز CFTS میشود.
ارسال پیام به نویسنده مسئول
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |
