اندازه‌گیری نوری ضخامت لایه‌های نیمه هادی

رضایی سیروس, پدرام; باطبی, سعید

بخش‌های اصلی

شاخه‌ی صنعتی نور فناوران و شرکت های عضو

حمایت از انجمن اپتیک و فوتونیک

ارتباط انجمن اپتیک و فوتونیک

اشتراک در خبرنامه

لطفاً نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه در کادر زیر وارد کنید.

دریافت آخرین شماره خبرنامه

آمار سایت

کل کاربران ثبت شده: 1970 کاربر
کاربران حاضر در وبگاه: 0 کاربر
میهمانان در حال بازدید: 515 کاربر
تمام بازدید‌ها: 25049724 بازدید
بازدید ۲۴ ساعت گذشته: 36989 بازدید

کنفرانس های انجمن

همایش
اپتیک و فوتونیک،
بهمن 1404
(در مرحله دریافت مقالات)

استفاده از مطالب ارائه شده در این پایگاه با ذکر منبع آزاد می باشد.

سال 28، شماره 1 - ( مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در اولین کنفرانس ملی حسگرهای فیبر نوری 1400 ) ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال28 صفحات 48-46 | برگشت به فهرست نسخه ها

Mendeley

Zotero

RefWorks

Rezaee Sirous P, Batebi S. Optical measurement of semiconductor layer. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2021; 28 (1) :46-48
URL: http://opsi.ir/article-1-2506-fa.html

رضایی سیروس پدرام، باطبی سعید. اندازه‌گیری نوری ضخامت لایه‌های نیمه هادی. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1400; 28 (1) :46-48

URL: http://opsi.ir/article-1-2506-fa.html

اندازه‌گیری نوری ضخامت لایه‌های نیمه هادی

پدرام رضایی سیروس^*¹

، سعید باطبی¹

1- گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه دانشگاه گیلان، رشت، ایران

چکیده: (1463 مشاهده)

با توسعه فناوری نانو، نیاز به ساخت و توسعه ابزارهای اندازه‌گیری جز لاینفک تحقیقات بشمار می‌رود. در این پژوهش به طراحی و ساخت سیستم اندازه‌گیری نوری غیرتماسی ضخامت لایه‌های نیمه هادی پرداخته شده است. با استفاده از یک لیزر قرمز با طول موج 632.8 نانومتری (توان 2 میلی وات)، طراحی اپتیکی مناسب و چیدمان تداخل‌سنج فابری پرو فریز‌های تداخلی بدست می‌آیند. فریز‌های کروی بدست آمده با تغییر ضخامت سطحی بصورت مداوم تغییر می‌نمایند، و با شمارش این خطوط ضخامت لایه بدست می‌آید. با چیدمان مناسب اپتیکی، تشکیل این خطوط، طراحی مدار الکتریکی و استفاده از هوش مصنوعی ضخامت لایه نیمه هادی را با با چندین روش مختلف اندازه گرفته شده است. در این بین به بررسی هر روش پرداخته و در آخر با استفاده از فتودیود Tsl 250 و استفاده از تحلیل ویدیو بهترین نتیجه و حداقل اندازه گیری 600 نانومتر ثبت شد.

واژه‌های کلیدی: میکروسکوپ نوری، تداخل‌سنج فابری‌پرو، اندازه‌گیری ضخامت نیمه‌هادی

متن کامل [PDF 480 kb] (663 دریافت)

نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی

بازنشر اطلاعات
	این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است.