اشتراک در خبرنامه

لطفاً نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه در کادر زیر وارد کنید.


آمار سایت

  • کل کاربران ثبت شده: 1962 کاربر
  • کاربران حاضر در وبگاه: 0 کاربر
  • میهمانان در حال بازدید: 457 کاربر
  • تمام بازدید‌ها: 21904431 بازدید
  • بازدید ۲۴ ساعت گذشته: 44691 بازدید

کنفرانس های انجمن 



 

استفاده از مطالب ارائه شده در این پایگاه با ذکر منبع آزاد می باشد.

سال 27، شماره 2 - ( مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و هفتمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران 1399 )                   ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال27 صفحات 754-750 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Noori A, Bahreini M, Aref S H. Localized enhancement of electric field in tip-enhanced-Raman spectroscopy using linearly polarized light. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2021; 27 (2) :750-754
URL: http://opsi.ir/article-1-2471-fa.html
نوری عادله، بحرینی مریم، عارف سید هاشم. تقویت موضعی میدان الکتریکی در طیف سنجی رامان تقویت‌شده با تیپ با استفاده از نور قطبیده خطی. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1399; 27 (2) :750-754

URL: http://opsi.ir/article-1-2471-fa.html


1- دانشگاه قم، قم
2- دانشگاه علم و صنعت ایران، تهران
چکیده:   (821 مشاهده)
در این مقاله از محاسبات تفاضل محدود در حوزه زمان (FDTD) برای تخمین شدت و توزیع میدان الکتریکی بصورت موضعی تقویت شده در طیف سنجی رامان تقویت شده با تیپ (TERS) در مجاورت تیپ نقره ای  به قطر 10 نانومتر استفاده شده است. از شبیه سازی­ها برای پیش بینی شدت و توزیع میدان الکتریکی بصورت تقویت شده موضعی در طیف سنجی رامان تقویت شده با تیپ (TERS) استفاده می‌شود. میدان الکتریکی تقویت شده ناشی از یک نور قطبیده خطی در دو  پیکربندی (TERSبا زیرلایه و بدون زیرلایه در کنار هم مقایسه شده است. برای این­منظور، یک منبع نور قطبیده خطی در مدل سازی FDTD  بکار رفته است .علاوه بر این، تأثیر استفاده از یک لایه محافظ نازک آلومینا در میزان تقویت میدان الکتریکی بررسی شده است. نتایج نشان می­دهد که  استفاده از یک لایه نازک از جنس طلا  به ­عنوان یک بستر برای اندازه‌گیریTERS ، می‌تواند افزایش قابل­توجهی در حساسیت به­دست دهد. علاوه بر این،  نتایج  نشان می­دهد که اضافه کردن یک لایه محافظ نازک به تیپTERS ، شدت میدان الکتریکی را کاهش می­دهد.
متن کامل [PDF 687 kb]   (485 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی

بازنشر اطلاعات
Creative Commons License این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است.

کارگاه‌ها و مدارس

(پایان ثبت نام)



 

(پایان ثبت نام)


کارگاه‌های مرتبط با توسعه
کسب و کار فوتونیک
اردیبهشت و خرداد ۱۴۰۴
(در حال ثبت نام)



 

کلیه حقوق این وب سایت متعلق به انجمن اپتیک و فوتونیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2025 All Rights Reserved | Optics and Photonics Society of Iran

Designed & Developed by : Yektaweb