اشتراک در خبرنامه
لطفاً نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه در کادر زیر وارد کنید.
آمار سایت
- کل کاربران ثبت شده: 1962 کاربر
- کاربران حاضر در وبگاه: 0 کاربر
- میهمانان در حال بازدید: 705 کاربر
- تمام بازدید‌ها: 21867099 بازدید
- بازدید ۲۴ ساعت گذشته: 39750 بازدید
کنفرانس های انجمن
همایش
اپتیک و فوتونیک،
بهمن 1403
(برگزار شد)
استفاده از مطالب ارائه شده در این پایگاه با ذکر منبع آزاد می باشد.
سال 27، شماره 2 - ( مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و هفتمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران 1399 )
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال27 صفحات 727-724 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Ebrahiminasab R, Ghorashi S M B. Simulation and optimization studies of planar perovskite solar cells based on C60 and CuPc and investigation of the effect of temperature on its performance. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2021; 27 (2) :724-727
URL: http://opsi.ir/article-1-2465-fa.html
URL: http://opsi.ir/article-1-2465-fa.html
ابراهیمی‌نسب رضا، قرشی سید محمدباقر. مطالعه‌ی شبیه‌سازی و بهینه‌سازی سلول خورشیدی پروسکایتی مسطح مبتنی بر C60 و CuPc و بررسی تاثیر دما بر عملکرد آن. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1399; 27 (2) :724-727
1- دانشگاه کاشان، دانشکده فیزیک، گروه لیزرفوتونیک
چکیده: (879 مشاهده)
دراین تحقیق یک مطالعه‌ی شبیه‌سازی به‌کمک نرم‌افزار SCSPS-1D صورت‌گرفته است تا قبل از ساخت عملی یک سلول خورشیدی پروسکایتی مسطح، اطلاعات مربوط به این ساختار پیش‌بینی شود و با استفاده از پارامترهای به‌دست آمده از نتایج تجربی مختص مواد تشکیل‌دهنده‌ی سلول خورشیدی پروسکایتی و در نظر گرفتن تاثیر بازترکیب‌های تابشی و غیرتابشی(اوژه)، ساختار FTO / C60 / CH3NH3PbI3 / CuPc / Au شبیه‌سازی‌شده و تاثیر ضخامت لایه‌های مختلف سلول خورشیدی مورد بررسی قرار گرفته تا ضخامت بهینه‌ی آن‌ها مشخص شود و رهنمودهایی برای افزایش بازدهی تبدیل توان اراِئه شود. پس از انجام شبیه‌سازی ضخامت‌های بهینه برای لایه‌ی انتقال‌دهنده‌ی الکترون، لایه‌ی انتقال‌دهنده‌ی حفره و پروسکایت به‌ترتیب 10، 50 و 300 نانومتر به‌دست آمد. نهایتا برای این ضخامت‌های بهینه در دمای اتاق مقادیر (V) 029/1 ، ( mA/cm^2 ) 141/23 ، (%) 93/62، (%) 15 به‌ترتیب برای ولتاژ مدار باز، چگالی جریان اتصال کوتاه، ضریب پرشدگی و بازدهی به‌دست آمد. پس از بررسی تاثیر دما مشخص شد که با افزایش دما عملکرد سلول بهبود می‌یابد.
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |
