اشتراک در خبرنامه
لطفاً نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه در کادر زیر وارد کنید.
آمار سایت
- کل کاربران ثبت شده: 1961 کاربر
- کاربران حاضر در وبگاه: 0 کاربر
- میهمانان در حال بازدید: 310 کاربر
- تمام بازدید‌ها: 21792235 بازدید
- بازدید ۲۴ ساعت گذشته: 12238 بازدید
کنفرانس های انجمن
همایش
اپتیک و فوتونیک،
بهمن 1403
(برگزار شد)
استفاده از مطالب ارائه شده در این پایگاه با ذکر منبع آزاد می باشد.
جلد 25 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و پنجمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال25 صفحات 1124-1121 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Mirzaei M S, Mashayekhi H, Zandi M H. Design and Characterization of a Novel Silicon Phase Modulator based on the Lateral Carrier Depletion Structure . ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2019; 25 :1121-1124
URL: http://opsi.ir/article-1-1850-fa.html
URL: http://opsi.ir/article-1-1850-fa.html
میرزایی محمد صادق، مشایخی حمیدرضا، زندی محمد حسین. طراحی و مشخصه‌یابی یک مدولاتور فاز سیلیکونی جدید مبتنی بر ساختار تخلیه حامل جانبی . مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1397; 25 () :1121-1124
1- دانشگاه شهید باهنر، کرمان
چکیده: (2063 مشاهده)
در این مقاله، از طریق شبیه سازیهای الکتریکی و نوری، یک مدولاتور فاز سیلیکونی تخلیه حامل فشرده در طول موج µm3/1 ارائه میشود. شیفتدهنده فاز، متشکل از یک پیوند PNجانبی بایاس معکوس با طول mµ 120 است. با طراحی دقیق پیوند PN، بازده مدولاسیون محاسبه شده، مقادیر بین 02/1 و V.cm2/2 را در بر میگیرد. اتلاف نوری این شیفتدهنده فاز فشرده در V4 برابر dB/cm49/2 است. همچنین این ساختار عملکرد سرعت بالا GHz30 را فراهم میکند. بهبود بیشتر در عملکرد آن در مقایسه با شیفتدهندههای فاز پیشین، حاصل میشود.
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |
