اشتراک در خبرنامه
لطفاً نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه در کادر زیر وارد کنید.
آمار سایت
- کل کاربران ثبت شده: 1962 کاربر
- کاربران حاضر در وبگاه: 0 کاربر
- میهمانان در حال بازدید: 353 کاربر
- تمام بازدید‌ها: 21898146 بازدید
- بازدید ۲۴ ساعت گذشته: 45611 بازدید
کنفرانس های انجمن
همایش
اپتیک و فوتونیک،
بهمن 1403
(برگزار شد)
استفاده از مطالب ارائه شده در این پایگاه با ذکر منبع آزاد می باشد.
جلد 25 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و پنجمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال25 صفحات 780-777 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Shiri M, Madani A, Roshan entezar S. Band gap structure of a one-dimensional quasiperiodic structure containing MoS2 mono-layers in terms of different orders of Fibonacci series . ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2019; 25 :777-780
URL: http://opsi.ir/article-1-1826-fa.html
URL: http://opsi.ir/article-1-1826-fa.html
شیری میثم، مدنی امیر، روشن انتظار صمد. ساختار باند برحسب مرتبه های مختلف سری فیبوناچی در شبه بلور فوتونی یک بعدی حاوی تک لایه های مولیبدن دی سولفاید (MoS2). مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1397; 25 () :777-780
میثم شیری*1 
، امیر مدنی1 ، صمد روشن انتظار2
، امیر مدنی1 ، صمد روشن انتظار2
1- دانشگاه بناب
2- دانشگاه تبریز
2- دانشگاه تبریز
چکیده: (2067 مشاهده)
دراین مقاله ساختار باند و خواص تراگسیل شبه بلور فوتونی یک بعدی حاوی تک لایه های MoS2 با آرایش شبه تناوبی برای مرتبه های مختلف سری فیبوناچی مورد مطالعه قرار گرفته است. ابتدا به معرفی سری فیبوناچی و نحوه آرایش لایه های دی الکتریک و نانو لایه های MoS2 پرداخته شده است. در ادامه طیف تراگسیل ساختار با استفاده از روش ماتریس انتقال برای مرتبه های 3، 4 و 5 سری فیبوناچی برای دو قطبش TE و TM مورد بررسی قرار گرفته است. در پایان ساختار باند و گاف فوتونی برای مرتبه های اشاره شده در ناحیه مرئی و فرا بنفش نزدیک بررسی شده است که حضور MoS2 باعث ایجاد گاف شده است و همچنین با افزایش مرتبه سری فیبوناچی انتقال گاف به فرکانس های بالاتر رخ می دهد.
واژه‌های کلیدی: ساختار باند گاف، طیف تراگسیل، رشته فیبوناچی، بلور فوتونی یک بعدی، مولیبدن دی سولفاید(MoS2)
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |
