اشتراک در خبرنامه
لطفاً نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه در کادر زیر وارد کنید.
آمار سایت
- کل کاربران ثبت شده: 1962 کاربر
- کاربران حاضر در وبگاه: 0 کاربر
- میهمانان در حال بازدید: 718 کاربر
- تمام بازدیدها: 21866711 بازدید
- بازدید ۲۴ ساعت گذشته: 39545 بازدید
کنفرانس های انجمن
همایش
اپتیک و فوتونیک،
بهمن 1403
(برگزار شد)
استفاده از مطالب ارائه شده در این پایگاه با ذکر منبع آزاد می باشد.
جلد 25 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و پنجمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال25 صفحات 1068-1065 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:



Ahmadi S M, Sharifi Malvajerdi S, Asemi M, Ghanaatshoar M. Fabrication of p-type transparent conducting oxide with high hardness for application as protective anode in flat panel displays. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2019; 25 :1065-1068
URL: http://opsi.ir/article-1-1668-fa.html
URL: http://opsi.ir/article-1-1668-fa.html
احمدی سید مرتضی، شریفی مالواجردی شهاب، عاصمی مرتضی، قناعت شعار مجید. ساخت لایه نازک اکسید رسانای شفاف نوع p با سختی بالا جهت استفاده به عنوان آندهای محافظ در صفحات نمایش تخت. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانسهای انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1397; 25 () :1065-1068
1- دانشگاه شهید بهشتی
چکیده: (2212 مشاهده)
در این تحقیق، لایه نازک اکسید رسانای شفاف نوع p با سختی بالا که قابلیت استفاده به عنوان شیشه رسانای محافظ در صفحات نمایش را دارد، ساخته و مشخصهیابی میشود. به همین منظور، ابتدا ماده هدف دلافوسیت CuCrO2 آلاییده با 5/2 درصد منیزیم به روش واکنش حالت جامد ساخته شده و سپس با استفاده از کندوپاش RF از آن لایه نازک بر روی زیر لایه کوارتز تهیه میشود. این لایه نازک که میتواند نقش اتصال مثبت در ساختار صفحات نمایش را بازی کند، دارای شفافیت در بازه مرئی حدود 67%، رسانندگی الکتریکی برابر 5/10 زیمنس بر سانتیمتر و سختی 950 ویکرز است.
بازنشر اطلاعات | |
![]() |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |