در این مقاله، امکان به دست آوردن بلورهای فوتونی یک بعدی که شامل مواد کم هزینه و همیشه در دسترس دی اکسید سیلیکون (SiO₂) یا پلی متیل متاکریلات (PMMA) وتک لایه‌های دی سولفید مولیبیدیوم (MoS₂ ) است ارائه شده است. باا اعمال ماتریس انتقال تحت باریکه گاوسی به بلورهای فوتونی با لایه های SiO₂/ MoS₂  وMoS₂ /  PMMA و بکارگیری ضرایب شکست وابسته به طول موج این لایه ها،  طیف تراگسیل و ویژگی‌های گاف نواری فوتونی آنها مورد بررسی قرار گرفته است. با افزایش مختصه شعاعی  rدر باریکه گاوسی، مکان گاف نوارهای فوتونی به سمت فرکانس­های پایین تر جابجا شدند. با افزایش  ضخامت لایه‌های  درهر یک از این بلورهای فوتونی، پهنای گاف نواری بطور قابل ملاحظه‌ای افزایش یافت و یک جابجایی به سمت فرکانس های پایین تر را نشان داد.