اشتراک در خبرنامه
لطفاً نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه در کادر زیر وارد کنید.
آمار سایت
- کل کاربران ثبت شده: 1962 کاربر
- کاربران حاضر در وبگاه: 0 کاربر
- میهمانان در حال بازدید: 470 کاربر
- تمام بازدید‌ها: 21913454 بازدید
- بازدید ۲۴ ساعت گذشته: 37257 بازدید
کنفرانس های انجمن
همایش
اپتیک و فوتونیک،
بهمن 1403
(برگزار شد)
استفاده از مطالب ارائه شده در این پایگاه با ذکر منبع آزاد می باشد.
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
URL: http://opsi.ir/article-1-1223-fa.html
در این مقاله به صورت نظری با استفاده از روش تفاضل محدود در حوزه زمانی افزایش جذب و چگالی جریان در لایه فعال سلول خورشیدی آلی، ناشی ازگیر اندازی نوردر ساختار توری ، بررسی شده است. نشان داده می شود که از طریق ساختار توریTiO2 با دوره تناوب و ضخامت خاص، در الکترود بالایی، به علت پراکندگی نور و افزایش طول مسیر اپتیکی درر داخل سلول خورشیدی، افزایش جذب و چگالی جریان را خواهیم داشت.همچنین میزان افزایش جذب و چگالی جریان، برر اساس ضخامت لایه و دوه تناوب توری، در این مقاله مورد بررسی قرار گرفته و همچنین یک ضخامت و دوره تناوب که به ازای آن جذب و چگالی جریان ماکزیمم می شود ، معین شده است.
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |
