در این پژوهش برای لایه نشانی پروسکایت ، از روش لایه نشانی دو مرحله ای استفاده شد. در مرحله اول، محلول سرب یدید به روش لایه نشانی چرخشی بر روی لایه ی نانو ساختار تیتانیوم دی اکسید قرار گرفت. در مرحله دوم، با روش لایه نشانی غوطه وری، محلول ایزوپروپانول  HC(NH2)2Iبا دماهای مختلف بر روی سرب یدید نشانده شد. نتیجه ی این دو مرحله لایه نشانی ، قرار گرفتن یک لایه ی پروسکایت HC(NH2)2PbI3بر روی لایه ی متخلخل TiO2بود. مشخصه یابی فوتوولتایی سلول، از قبیل بازده تبدیل توان ، ضریب پرشدگی، ولتاژ مدار باز، چگالی جریان مدار کوتاه انجام گرفت و نتایج با یکدیگر مقایسه گردید تا دمای بهینه مشخص شود.