اشتراک در خبرنامه
لطفاً نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه در کادر زیر وارد کنید.
آمار سایت
- کل کاربران ثبت شده: 1963 کاربر
- کاربران حاضر در وبگاه: 0 کاربر
- میهمانان در حال بازدید: 235 کاربر
- تمام بازدیدها: 22171196 بازدید
- بازدید ۲۴ ساعت گذشته: 15870 بازدید
کنفرانس های انجمن
همایش
اپتیک و فوتونیک،
بهمن 1403
(برگزار شد)
استفاده از مطالب ارائه شده در این پایگاه با ذکر منبع آزاد می باشد.
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:



URL: http://opsi.ir/article-1-1056-fa.html






در این پژوهش از جفت لایه ی سیلیکن اکسید/سیلیکن نیترید برای کپسوله کردن دیود نورافشان آلی با زیرلایه شیشه استفاده شده است. زمانی که لایه سیلیکن نیترید روی ساختار دیود نورافشان آلی لایه نشانی می شود کارایی سیستم نسبت به حالت کپسوله نشده افت می کند. به منظور رفع این مشکل از میان لایه سیلیکن اکسید برای محافظت ساختار دیود نورافشان آلی در برابر آسیب های لایه نشانی به روش کندوپاش استفاده شد. لایه نازک سیلیکن نیترید به روش کندوپاش و لایه نازک سیلیکن اکسید به روش تبخیر فیزیکی و در محفظه ی خلاء لایه نشانی شدند. پس از لایه نشانی مشخصه ی جریان-ولتاژ اندازه گیری شد و طیف تابش دیود مورد بررسی قرار گرفت و در نهایت طول عمر دیود اندازه گیری شد. نمونه ی کپسوله شده با لایه نازک نیمه عمر حدودا 542 ساعت و نمونه ی کپسوله شده با شیشه نیمه عمر حدودا 1078 ساعت دارند. نتایج بررسی ها نشان می دهد که طول عمر نمونه ی کپسوله شده با لایه نازکسیلیکن اکسید/سیلیکن نیترید حدود نصف نیمه عمر نمونه ی کپسوله شده با شیشه است.
بازنشر اطلاعات | |
![]() |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |