اشتراک در خبرنامه
لطفاً نشانی پست الکترونیک خود را برای دریافت اطلاعات و اخبار پایگاه در کادر زیر وارد کنید.
آمار سایت
- کل کاربران ثبت شده: 1963 کاربر
- کاربران حاضر در وبگاه: 0 کاربر
- میهمانان در حال بازدید: 331 کاربر
- تمام بازدید‌ها: 22076685 بازدید
- بازدید ۲۴ ساعت گذشته: 17377 بازدید
کنفرانس های انجمن
همایش
اپتیک و فوتونیک،
بهمن 1403
(برگزار شد)
استفاده از مطالب ارائه شده در این پایگاه با ذکر منبع آزاد می باشد.
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
URL: http://opsi.ir/article-1-1055-fa.html
، حمیدرضا فلاح1 ، حسین زابلیان1
برای توسعه و مشخصه یابی دیودهای نور افشان آلی، روشی برای اندازه گیری آهنگ نفوذ رطوبت با حساسیت بالا لازم است. در این جا از تست کلسیم الکتریکی برای اندازه گیری آهنگ نفوذ خیلی کم استفاده می کنیم. میزان اکسید شدن حسگر نازک کلسیم با اندازه گیری مقاومت آن آشکارسازی می شود. پس از لایه نشانی کلسیم به روش تبخیر فیزیکی در محفظه ی خلاء، نمونه ها با استفاده از لایه نازک های سیلیکن اکسید/سیلیکن نیترید و تکرار پنج گانه ی این جفت لایه و نیز پوشش شیشه به منظور مقایسه با نمونه های لایه نشانی شده کپسوله شدند. لایه نازک سیلیکن نیترید به روش کندوپاش و لایه نازک سیلیکن اکسید به روش تبخیر فیزیکی و در محفظه ی خلاء لایه نشانی شدند. با اندازه گیری مقاومت این نمونه ها آهنگ نفوذ رطوبت برای این پوشش ها تعیین شد.د
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |
