<?xml version="1.0" encoding="utf-8"?>
<journal>
<title>Accepted and Presented Articles of OPSI Conferences</title>
<title_fa>مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران</title_fa>
<short_title>ICOP &amp; ICPET _ INPC _ ICOFS</short_title>
<subject>Basic Sciences</subject>
<web_url>http://opsi.ir</web_url>
<journal_hbi_system_id>1</journal_hbi_system_id>
<journal_hbi_system_user>admin</journal_hbi_system_user>
<journal_id_issn>1126-3278</journal_id_issn>
<journal_id_issn_online>10</journal_id_issn_online>
<journal_id_pii>8</journal_id_pii>
<journal_id_doi>7</journal_id_doi>
<journal_id_iranmedex></journal_id_iranmedex>
<journal_id_magiran></journal_id_magiran>
<journal_id_sid>14</journal_id_sid>
<journal_id_nlai>8888</journal_id_nlai>
<journal_id_science>13</journal_id_science>
<language>fa</language>
<pubdate>
	<type>jalali</type>
	<year>1394</year>
	<month>11</month>
	<day>1</day>
</pubdate>
<pubdate>
	<type>gregorian</type>
	<year>2016</year>
	<month>2</month>
	<day>1</day>
</pubdate>
<volume>22</volume>
<number>مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و دومین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران </number>
<publish_type>online</publish_type>
<publish_edition>1</publish_edition>
<article_type>fulltext</article_type>
<articleset>
	<article>


	<language>fa</language>
	<article_id_doi></article_id_doi>
	<title_fa>ساخت سیلیکان متخلخل در تخلخل های مختلف جهت کاربردهای رسانای نوری </title_fa>
	<title>Fabrication of porous silicon at different porosities for optical conductive applications</title>
	<subject_fa>تخصصی</subject_fa>
	<subject>Special</subject>
	<content_type_fa>پژوهشي</content_type_fa>
	<content_type>Research</content_type>
	<abstract_fa>&lt;p&gt;&lt;b&gt;&lt;span lang=&quot;FA&quot;&gt;سیلیکان متخلخل در صنعت اپتوالکترونیک به خصوص در دیود های نوری و سلول های خورشیدی کاربرد بسیاری دارد. در این مقاله، سیلیکان متخلخل از ویفر سیلیکان نوع &lt;/span&gt;&lt;/b&gt;&lt;span dir=&quot;ltr&quot;&gt;p&lt;/span&gt;&lt;b&gt;&lt;span&gt; &lt;/span&gt;&lt;/b&gt;&lt;b&gt;&lt;span lang=&quot;FA&quot;&gt;تحت چگالی جریان های &lt;/span&gt;&lt;/b&gt;&lt;span dir=&quot;ltr&quot;&gt;20, 25, 30, 35 mA/cm&lt;sup&gt;&lt;font size=&quot;2&quot;&gt;2&lt;/font&gt;&lt;/sup&gt;&lt;/span&gt;&lt;b&gt;&lt;span lang=&quot;FA&quot;&gt; و زمان خوردگی و غلظت محلول الکترولیت ثابت در فرآیند آندی سازی ساخته شد. میزان تخلخل و ضخامت لایه ها با توجه به تصاویر &lt;/span&gt;&lt;/b&gt;&lt;span dir=&quot;ltr&quot;&gt;SEM&lt;/span&gt;&lt;b&gt;&lt;span&gt; &lt;span lang=&quot;FA&quot;&gt;و توسط نرم افزار &lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;/b&gt;&lt;span dir=&quot;ltr&quot;&gt;Digimizer&lt;/span&gt;&lt;b&gt;&lt;span&gt; &lt;/span&gt;&lt;/b&gt;&lt;b&gt;&lt;span lang=&quot;FA&quot;&gt;محاسبه شدند. طبق آزمایش های انجام شده با افزایش چگالی جریان خوردگی، میزان تخلخل و ضخامت لایه ها افزایش می یابد.&lt;/span&gt;&lt;/b&gt;&lt;span dir=&quot;ltr&quot;&gt;&lt;!--stripped--&gt;&lt;!--stripped--&gt;&lt;/span&gt;&lt;/p&gt;
</abstract_fa>
	<abstract>&lt;p&gt;Porous silicon has many applications in optoelectronics industry especially in light emitting diodes and solar cells. In this paper, porous silicon was made from p-type silicon under current densities of 20, 25, 30, and 35 mA/cm&lt;sup&gt;&lt;font size=&quot;2&quot;&gt;2&lt;/font&gt;&lt;/sup&gt; with constant etching time and electrolyte concentration at anodizing process. Porosity and thickness of layers were measured by SEM images and Digimizer software. According to our results, porosity and thickness of layers increase with increasing etching current density.&lt;/p&gt;
</abstract>
	<keyword_fa>رسانای نوری, سیلیکان, سیلیکان متخلخل. </keyword_fa>
	<keyword>Optical conductive, Silicon, Porous silicon.</keyword>
	<start_page>640</start_page>
	<end_page>643</end_page>
	<web_url>http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-968&amp;slc_lang=fa&amp;sid=1</web_url>


<author_list>
	<author>
	<first_name>Maryam</first_name>
	<middle_name></middle_name>
	<last_name>Ghezelayagh</last_name>
	<suffix></suffix>
	<first_name_fa>مریم</first_name_fa>
	<middle_name_fa></middle_name_fa>
	<last_name_fa>قزل ایاغ</last_name_fa>
	<suffix_fa></suffix_fa>
	<email>ghezelayagh_m@yahoo.com</email>
	<code>10031947532846004343</code>
	<orcid>10031947532846004343</orcid>
	<coreauthor>Yes
</coreauthor>
	<affiliation>Alzahra University</affiliation>
	<affiliation_fa>دانشگاه الزهرا</affiliation_fa>
	 </author>


	<author>
	<first_name>Reza</first_name>
	<middle_name></middle_name>
	<last_name>sabet Dariani</last_name>
	<suffix></suffix>
	<first_name_fa>رضا</first_name_fa>
	<middle_name_fa></middle_name_fa>
	<last_name_fa>ثابت داریانی</last_name_fa>
	<suffix_fa></suffix_fa>
	<email>sabetdariani@gmail.com</email>
	<code>10031947532846004344</code>
	<orcid>10031947532846004344</orcid>
	<coreauthor>No</coreauthor>
	<affiliation>Alzahra University</affiliation>
	<affiliation_fa>دانشگاه الزهرا</affiliation_fa>
	 </author>


</author_list>


	</article>
</articleset>
</journal>
