fa تحلیل اثر تعداد لایه‌های نقطه کوانتومی بر مشخصه‌های استاتیکی لیزرهای نقطه کوانتومی InAs/InP تخصصی Special پژوهشي Research در این تحقیق رفتار لیزرهای نقطه کوانتومی خودآرای InAs/InP در طول موج 55/1 میکرومتر با در نظر گرفتن حالت پایه و برانگیخته و لحاظ کردن اثرات پهن شدگی همگن و غیر همگن بهره با استفاده از حل معادله نرخ لیزر مدل‌سازی می‌شود. شبیه‌سازی‌ها نشان می‌دهد با افزایش جریان تزریقی وقتی کانال واهلش مستقیم از تراز وتینگ به تراز پایه در نظر گرفته می‌شود، اثر اشباع حالت پایه دیده نمی‌شود، همچنین لیزردهی حالت برانگیخته در طول موج 42/1 میکرو متر ظاهر می‌شود. علاوه بر این، افزایش تعداد لایه‌های نقطه کوانتومی باعث افزایش کارایی کوانتومی شده، ولی متاسفانه افزایش جریان آستانه را در پی دارد. In this paper the behavior of InAs/InP quantum dot semiconductor lasers in 1.55µm by considering excited and ground state and effects gain homogeneous broadening and inhomogeneous broadening will be simulate by implementing rate equations. The simulation results indicates increasing in injected current when direct relaxation channel between wetting state and ground state is considered, there is no effect of ground state saturation. In addition, the excited state lasing will appear in 1.42µm. in the following, by examining the number of quantum dot layers, the quantum efficiency will enhance by increase in quantum dot layers but the threshold current will increase too. بهره نوری, پهن شدگی غیر همگن, لیزر نقطه کوانتومی, معادله نرخ Gain optical, Inhomogeneous broadening, Quantum dot laser, Rate equations 653 656 http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-741&slc_lang=fa&sid=1 gholamreza babaabasi غلامرضا باباعباسی r.babaabasi@yahoo.com 10031947532846003618 10031947532846003618 Yes ali mir علی میر f2_mir@yahoo.com 10031947532846003619 10031947532846003619 No Mohammad-Hasan Yavari محمد حسن یاوری mh.yavari@shahed.ac.ir 10031947532846003620 10031947532846003620 No