fa استخراج دمای بحرانی بر شفافیت اپتیکی فیوزسیلیکا با آزمون عملی تا دمای بالای 1200 درجه سانتی‏گراد تخصصی Special پژوهشي Research یکی از ملاحظات مهم در طراحی سامانه‏های تصویربردار الکترواپتیکی، اثرات دمایی بر شفافیت پنجره اپتیکی است. در این مقاله با مطالعه و بررسی خواص ماده اپتیکی فیوزسیلیکا و آزمون عملی تا دمای بالای 1200 درجه سانتی‌گراد، قابلیت استفاده این ماده در این بازه دمایی مورد بررسی و ارزیابی قرار گرفت. نتایج آزمون نشان می‌دهد که فیوز سیلیکا در دمای 1200 درجه سانتی‌گراد خواص اپتیکی خود را از دست می‌دهد، اما با تکرار آزمون در دماهای پایین‏تر، دمای 1100 درجه سانتی‌گراد، به‏عنوان دمای بحرانی برای شفافیت اپتیکی فیوزسیلیکا استخراج گردید. The effect of temperature on transparency of optical window is one of the important points in designing of Electro-Optical systems. In this paper by studying the optical features of Fused Silica and practical testing up to 1200 °C, the ability of using this material in this temperature range was studied. Results of this test show that Fused Silica in 1200 °C can’t sustain its optical features. By repeating the test in lower temperature, the critical temperature of optical transparency of Fused Silica obtained 1100 °C. شفافیت اپتیکی, دمای بحرانی, فیوزسیلیکا و ارزیابی تصویر Optical Transparency, Critical Temperature, Fused Silica, Image Analysis 873 876 http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-717&slc_lang=fa&sid=1 mohammad asadnezhad محمد اسدنژاد mf.asadnezhad@gmail.com 10031947532846003544 10031947532846003544 Yes 1Research Institute of Department of Electrical and Electronic Engineering, Maleke-ashtar University of Technology مرکز تحقیقات پژوهشی مجتمع دانشگاهی برق و الکترونیک، دانشگاه صنعتی مالک اشتر majid abas abadi مجید عباس آبادی abbasabadi.m@gmail.com 10031947532846003545 10031947532846003545 No 1Research Institute of Department of Electrical and Electronic Engineering, Maleke-ashtar University of Technology مرکز تحقیقات پژوهشی مجتمع دانشگاهی برق و الکترونیک، دانشگاه صنعتی مالک اشتر faezeh jadidi فائزه جدیدی faezeh_jadidi@yahoo.com 10031947532846003546 10031947532846003546 No 1Research Institute of Department of Electrical and Electronic Engineering, Maleke-ashtar University of Technology مرکز تحقیقات پژوهشی مجتمع دانشگاهی برق و الکترونیک، دانشگاه صنعتی مالک اشتر