fa بررسی اثر کندو پاش در لایه‌نشانی فیلم‌های آمورف کربنی تخصصی Special پژوهشي Research در این تحقیق به بررسی اثر کندوپاش ناشی از برخورد یون‌های پرانرژی با زیرلایه در حین لایه‌نشانی فیلم‌های آمورف کربنی پرداخته می-شود. لذا، حرکت یون‌ها و ذرات خنثی در غلاف پلاسما شبیه‌سازی شده و انرژی آن‌ها در هنگام برخورد با زیرلایه محاسبه می‌گردد. سپس این انرژی بعنوان ورودی در کد SRIM وارد شده و اثر کندوپاش ناشی از آن تحت ولتاژهای بایاس و درجه یونیزاسیون‌های مختلف، بدست می‌آید. نتایج نشان می‌دهد که کندوپاش یون‌های پرانرژی در رشد فیلم‌های آمورف کربنی تاثیر بسزایی ندارد و حتی با افزایش ولتاژ زیرلایه تحت تاثیر کاشت یون‌ها قرار گرفته و مقدار آن کاهش می‌یابد. In this paper, the effect of sputtering of high-energy ions on the growth of amorphous carbon films is investigated. Therefore, the ion and neutral movements in the sheath are simulated and their energy at the moment of collision with the substrate is computed. The obtained energy is an input to the SRIM code being used to investigate the sputtering yield under different substrate biases and ionization degrees. Our results show that the sputtering of high-energy ions does not affect the films’ growth. It also decreases with increment of the substrate bias which is due to the transition toward ion implantation. فیلم‌های آمورف کربنی, کاشت یون‌ها, کندوپاش, ولتاژ بایاس Amorphous carbon films, Ion implantation, Sputtering, Substrate bias 661 664 http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-646&slc_lang=fa&sid=1 Somayeh Mehrabian سمیه مهرابیان s_mehrabian@shahroodut.ac.ir 10031947532846003324 10031947532846003324 Yes University of Shahrood دانشگاه شاهرود