fa افزایش آستانه تخریب لیزری لایه های نازک TiO2 در رژیم تابشی لیزرهای فمتوثانیه با کنترل عملیات حرارتی تخصصی Special پژوهشي Research به منظور مطالعه آستانه تخریب لیزری، لایه های TiO2 با روش تبخیر بیم الکترونی بر روی زیر لایه Bk7 لایه نشانی شدند. سپس به مدت 3 ساعت با گرادیانهای مختلف دمایی تحت عملیات حرارتی قرار گرفتند. سپس طیف UV_visible نمونه ها و ضریب شکست آنها بدست آمدند و با اطلاعات موجود گاف انرژی هر نمونه محاسبه شد. با استفاده از روابط موجود، مقدارهای عددی گاف انرژی و مقادیر، میزان آستانه تخریب لیزری در محدوده لیزرهای فمتوثانیه در طول موج nm 1030 و عرض پالس 20-500 فمتوثانیه محاسبه شد Tio2 optical films with 200nm thickness were deposited by using electron beam evaporation technique on optical BK7 glass and annealed at different time-temperature gradient. As a consequence of measured transmission spectrum and envelope method the absorption coefficient of three samples can be determined. By using Tauce method, the energy bandgap of the samples can be calculated. Finally the laser induced damage threshold (LIDT) of the samples at 1030nm and pulse duration 20-500fs can be obtained. The results show that LIDT can improve by using slowly varying time temperature gradient annealing process. تخریب لیزری در رژیم فمتوثانیه, تخریب لیزری لایه های اپتیکی, آستانه تخریب لیزری TiO2 Femtosecond laser induced damage, laser damage of optical thin films, induced damage threshold of TiO2 1029 1032 http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-489&slc_lang=fa&sid=1 Alireza Bananej علیرضا بنانج arbananej@yahoo.com 10031947532846002886 10031947532846002886 Yes Atomic energy organization of iran سازمان انرژی اتمی ایران- پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای - پژوهشکده لیزر و اپتیک Mahdieh Khatiri مهدیه خطیری m_khatiry@yahoo.com 10031947532846002887 10031947532846002887 No Atomic energy organization of iran سازمان انرژی اتمی ایران- پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای - پژوهشکده لیزر و اپتیک Zohreh Parsa زهره پارسا zohrehparsa@gmail.com 10031947532846002888 10031947532846002888 No Kharazmi university دانشگاه خوارزمی