fa طراحی جدید سلول خورشیدی InGaP/GaAs/Si با بازدۀ کوانتومی بالا بر پایه نانوساختار تخصصی Special پژوهشي Research در این مقاله یک سلول خورشیدی نانوساختار InGaP/GaAs/Si معرفی می گردد. برای افزایش بازدۀ کوانتومی سلول خورشیدی پیشنهادی، از تکنیک های کاهش تلفات ناشی از بازترکیب های غیرتشعشعی و افزایش ضریب جذب استفاده شده است. نتایج شبیه سازی ساختار طراحی شده نشان می دهد، که با در نظرگرفتن تطبیق شبکه بین لایه ها علاوه بر رسیدن به بازدۀ کوانتومی بالا، قسمت بیشتری از طیف نور خورشید را جذب می کند. سلول خورشیدی در نرم افزار سیلواکو ورژن 3.20.2 شبیه سازی و بازدۀ کوانتومی به 65% رسیده است. - In this paper, a nanostructured solar cells InGaP/GaAs/Si is presented. Proposed to increase the quantum efficiency of solar cells, a technique to reduce losses of non-radiative recombination and increase of the absorption coefficient is used. Simulation results show that the designed structure, with regard to the lattice matching between layer in addition to achieving high quantum efficiency, absorbs more of the sun's light spectrum. Solar cell in software version 3.20.2 silvaco simulations and quantum efficiency of 65 % is reached. نانوساختار, سلول خورشیدی چاه کوانتومی, بازدۀ کوانتومی Nanostructured, quantum wells solar cells, quantum efficiency. 5 8 http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-431&slc_lang=fa&sid=1 علی فرمانی Ali.farmani@shirazu.ac.ir 10031947532846002707 10031947532846002707 Yes دانشگاه شیراز محمد حسین شیخی msheikhi@shirazu.ac.ir 10031947532846002708 10031947532846002708 No دانشگاه شیراز سجاد دهقانی dehghani@shirazu.ac.ir 10031947532846002709 10031947532846002709 No دانشگاه شیراز