fa کنترل همدوس سرعت گروه از طریق تونل‌زنی در ملکول نقطه کوانتومی تخصصی Special تجربی Experimental نانوساختارهای نیمرسانا به خاطر دارا بودن ویژگی­های الکتریکی و نوری منحصر به فردشان به عنوان سامانه‌های نوین کلیدزنی نوری در دستگاه های مخابراتی مطرح شده اند. در این مقاله اثر تونل‌زنی بر رفتار جذب و پاشندگی باریکه کاوشگر در یک نانوساختار نقطه کوانتومی دوگانه چهار ترازی مورد مطالعه قرار گرفته است. نتایج به‌دست آمده نشان می‌دهد که اعمال ولتاژ گیت بر انتشار باریکه کاوشگر در نتیجه جذب و پاشندگی و سرعت گروه آن اثر گذار است. با اعمال تونل‌زنی جذب و پاشندگی تغییر کرده و می‌توان فراسرعت را به فروسرعت نور کلیدزنی کرد. Semiconductor nanostructures have been proposed as novel optical switching systems in telecommunication systems due to their unique electrical and optical properties. In this paper, the effect of tunneling on probe field absorption and dispersion for a quantum dot molecule is investigated. The results show that applying voltage gate affects on probe beam propagation, and thus its absorption, dispersion and group velocity. By applying gate voltages, absorption and dispersion may change with the tunneling effect, and light propagation from superluminal to subluminal can be switched. تونل‌زنی, فراسرعت نور, فروسرعت نور, نانوساختار نقطه کوانتومی Tunneling, Superluminal, Subluminal, Quantum dot nanostructures 253 256 http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1971-235&slc_lang=fa&sid=1 Nasim Samadi نسیم صمدی samadi.nasim1996@gmail.com 100319475328460010792 100319475328460010792 Yes Zahra Arefinia زهرا عارفی نیا arefinia@gmail.com 100319475328460010793 100319475328460010793 No Mostafa Sahrai مصطفی صحرایی sahrai@tabrizu.ac.ir 100319475328460010794 100319475328460010794 No