fa تنظیم پذیری جفت شدگی پلاریتون- پلاسمون سطحی و اکسیتون بر حسب غلظت نیمرسانای اکسیتونی در یک ساختار دو لایه‌ای تخصصی Special تجربی Experimental در این مقاله تنظیم پذیری جفت شدگی پلاریتون-پلاسمون سطحی واکسیتون برحسب غلظت نیمرسانای اکسیتون ( fj)&nbsp; دریک ساختار دو لایه ای در پیکربندی کریشمن بطور نظری مطالعه شده است. طیف‌های جذب اپتیکی مربوط به ساختار جفت شده به ازای مقادیر مختلف fj ، دارای مدهای پلاریتونی بالاتر و پایین‌تر است. با تنظیم غلظت نیمرسانای اکسیتونی از 0.06 به 0.1 قدرت جفت شدگی بین پلاسمون و اکسیتون افزایش می‌یابد. <strong>In this paper, tuning surface plasmon-</strong> <strong>polariton and exciton coupling via concentration dependent of excitonic semiconductor (</strong> fj <strong>) in a twolayer structure has been studied theoretically in Kretschmann configuration. Optical absorption spectrums of the coupling structure at different values of </strong> fj <strong>،</strong><strong> have upper and lower polariton branches. </strong><strong>By tuning the concentration of excitonic semiconductor </strong><strong>from 0.06 to 0.1, </strong><strong>the coupling strength between plasmon and exciton increases.</strong> اکسیتون, پلاریتون- پلاسمون سطحی, پلکسیتون, شکافتگی رابی : Exciton, Surface plasmon- polariton, plexciton, Rabi splitting 674 677 http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1971-168&slc_lang=fa&sid=1 mona rostami منا رستمی mona_rostami90@yahoo.com 100319475328460010607 100319475328460010607 Yes Ferydon Babaei فریدون بابائی ferydonbabaei@gmail.com 100319475328460010608 100319475328460010608 No