fa بررسی اثر ناخالصی سیلیکون بر خواص اپتیکی تک‌لایه‌ی 2C(OH)2Sc در چارچوب نظریه‌ی تابعی چگالی تخصصی Special تجربی Experimental <strong>در چارچوب نظریه‌ی تابعی چگالی، خواص اپتیکی </strong><strong>ترکیب </strong><strong>₂</strong>C(OH)<strong>₂</strong>Sc<strong> با و بدون ناخالصی سیلیکون مورد مطالعه قرار می‌گیرد. این ترکیب در حضور ناخالصی سیلیکون، از یک نیم‌رسانا با گاف نواری </strong>eV<strong> 57/0 به یک عایق توپولوژیک با گاف نواری صفر و وارونی نواری تغییر ساختار و خواص می‌دهد. </strong><strong>منشأ ساختارهای طیفی در ترکیب با و بدون ناخالصی سیلیکون، به‌ترتیب، انتقال الکترون از حالات </strong>p<strong> سیلیکون و </strong>p<strong> کربن به حالات </strong>d<strong> اسکاندیوم و </strong>s<strong> هیدروژن است. مقادیر ثابت‌های اپتیکی در ساختار ناخالص‌شده نسبت به ساختار بدون ناخالصی افزایش می‌یابد.</strong> In the density functional theory, optical properties of Sc₂C(OH)₂ with and without silicon impurity are studied. In the presence of silicon impurity, the structure and properties of this compound were changed from a semiconductor with a 0.57 eV band-gap to a topological insulator with a zero band-gap and a band inversion. The origin of spectral features in this compound with and without the silicon impurity is the electron transition from the p-Si and p-C to d-Sc and s-H, respectively. The values of optical constants are increased in the doped-structure with respect to the pure structure. تک‌لایه‌ی 2C(OH)2Sc, خواص اپتیکی, ناخالصی سیلیکون, نظریه‌ی تابعی چگالی (DFT), Mxeneها Monolayer Sc2C(OH)2, Optical properties, Silicon impurity, Density functional theory (DFT), MXenes. 141 144 http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1971-165&slc_lang=fa&sid=1 ریحان نجاتی پور nejati.r@lu.ac.ir 100319475328460010600 100319475328460010600 Yes دانشگاه لرستان Mehrdad dadsetani مهرداد دادستانی dadsetani.m@lu.ac.ir 100319475328460010601 100319475328460010601 No دانشگاه لرستان