fa اثر دمای فرآیند سولفوریزاسیون بر لایه نازک CFT لایه‌نشانی شده به روش لایه‌نشانی لیزر پالسی (PLD) تخصصی Special تجربی Experimental در این پژوهش به بررسی لایه نازک Cu₂FeSnS₄ (CFTS) می‌‏پردازیم. ماده اولیه این لایه نازک عناصر مس، آهن و قلع هستند که ابتدا به صورت قرص درآمده و سپس از طریق فرآیند لایه‌نشانی لیزر پالسی بر روی بستر شیشه‌‏ای لایه‌نشانی شده‏‌اند. سپس این لایه نازک در دو دمای C° 550 و C° 600 در کوره سولفوریزاسیون قرار می‌گیرد تا فرآیند ادغام عنصر گوگرد در آن‌ها انجام شده و فاز CFTS تشکیل شود. نتایج تحلیل طیف‏‌های پراش پرتو ایکس (XRD)، رامان و UV-Vis-IR این لایه‌‏ها نشان می‌‏دهند که کاهش دمای پخت از C° 600 به C° 550 باعث افزایش حجم و کیفیت فاز CFTS می‏‌شود. Abstract - We study the Cu₂FeSnS₄ (CFTS) thin film, created through pulsed laser deposition (PLD). Copper, iron and tin as the raw materials are mixed in the form of tablets and then are deposited on a glass substrate. The produced metallic layers are then sulfurized at temperatures of 550 ℃ and 600 ℃ for merging sulfur in the thin film and forming CFTS structure. The X-ray diffraction (XRD), Raman and UV-Vis analyses results show that by decrease in the sulfurization temperature from 600 ℃ to 550 ℃ the crystal quality of the layers is improved, which is realized by increase in volume and quality of the CFTS phase. سولفوریزاسیون, لایه نازک, لایه‌نشانی لیزر پالسی, CFTS Sulfurization, Thin Film, Pulsed Laser Deposition (PLD), CFTS 699 702 http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1971-138&slc_lang=fa&sid=1 iman Rahmani ایمان رحمانی iman1375@yahoo.com 100319475328460010520 100319475328460010520 Yes mashhad مشهد majid Ghanaatshoar مجید قناعت شعار m-ghanaat@sbu.ac.ir 100319475328460010521 100319475328460010521 No