fa جایگزیدگی اندرسون در یک بلور فوتونی نامنظم پلاسمایی دارای الگوی چگالی الکترونی سینوسی تخصصی Special تجربی Experimental <strong>در این مقاله ما به بررسی جایگزیدگی اندرسون در یک ساختار لایه &shy;ای نامنظم شامل پلاسما که در آن چگالی الکترونی در هر لایه&shy; ی پلاسما به صورت سینوسی مدوله شده است، می&shy; پردازیم. با محاسبه &shy;ی طول جایگزیدگی بهنجار در فرکانس&shy; های مختلف نشان داده می&shy; شود که در بعضی از فرکانس &shy;ها سیستم در رژیم جایگزیده اندرسون قرار دارد. در انتها، اثر پارامتر&shy;های مختلف ساختار مانند قدرت بی &shy;نظمی، ضریب مدولاسیون و زاویه&shy; ی فرود بر طول جایگزیدگی بررسی شده است.</strong> In this paper, we investigate Anderson localization in a disordered layered structure in which the electron density of each plasma layer is sinusoidally modulated. Calculation of the normalized localization length at different frequencies, shows that the system is localized at some frequency ranges. Finally, the impact of different parameters such as disorder strength, modulation factor and incident angle on the localization length is investigated. جایگزیدگی اندرسون, بلور فوتونی پلاسمایی, چگالی الکترون سینوسی, ماتریس انتقال Anderson Localization, Plasma Photonic Crystal, Sinusoidal Electron Density, Transfer Matrix 624 627 http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1971-115&slc_lang=fa&sid=1 mojtaba golshani مجتبی گلشنی golshani@uk.ac.ir 100319475328460010450 100319475328460010450 No shahid bahonar university of kerman دانشگاه شهید باهنر کرمان zahra mahboudi زهرا مهبودی zahramehboodi74@gmail.com 100319475328460010452 100319475328460010452 Yes shahid bahonar university of kerman دانشگاه باهنر کرمان zahra mahboudi عباس قاسم پور zahramehboodi74@gmail.com 100319475328460010451 100319475328460010451 No shahid bahonar university of kerman دانشگاه شیراز