fa بررسی تاثیر عیب های حجمی و سطح مشترکی بر عملکرد سلول خورشیدی سیلیکونی لایه نازک تخصصی Special تجربی Experimental سیلیکون در پژوهشها اغلب  به صورت ایده آل درنظر گرفته می‏شوددرحالی که شکل واقعی تر آن دارای نقص هایی می باشد ازجمله در حجم لایه سیلیکون و یا در سطح مشترک با لایه های دیگر که آنها  عملکرد سلول را تحت تاثیر قرار می دهند. ما دراین پژوهش ابتدا  با روشFDTD  قسمت اپتیکی سلول سیلیکون لایه نازک (سلول سیلیکونی نسل جدید با ضخامت 3 میکرون) را که دارای یک پوشش ضد بازتاب به ضخامت46، 82 و 112 نانومتر می باشد شبیه سازی کردیم. در ادامه برای شبیه سازی قسمت الکتریکی سه حالت سلول ایده آل، سیلیکون با نقص حجمی  و سیلیکون با هر دو نقص همزمان حجمی و در فصل مشترک با سایر لایه ها را در نظر گرفته شده است. برای این منظور سه شیوه  بازترکیب تابشی، بازترکیب اوژه و بازترکیب به کمک عیب ها  در نظر گرفته شد. نتایج شبیه سازی الکتر واپتیکی انجام شده نشان داد که عملکرد مربوط به سیلیکون واقعی تر نسبت به سیلیکون ایده آل کاهش چشم گیری دارد به نحویکه حتی در بهترین ضخامت از لایه ضد بازتاب منجر به کاهش حدود % 50 در بازده سلول نسبت به سلول ایده آل می شود. Silicon is often considered ideal in research, while its more realistic form has defects, such as in the volume of the silicon layer or at the interface with other layers that affect cell performance. In this study, we first simulated the optical part of a thin layer silicon cell (new generation silicon cell with a thickness of 3 microns) which has an anti-reflective coating with a thickness of 46, 82, and 112 nm by FDTD method. To simulate the electrical part, three states including ideal silicon, silicon with volume defect, and silicon with both simultaneous volumetric defects and at the interface with other layers, have been considered. For this purpose, three methods of radiative recombination, Auger recombination, and recombination by defects were considered. The results of electro-optical simulation showed that the performance of the more real silicon cell than the ideal one is significantly reduced so that even at the best thickness of the anti-reflective layer(82 nm) leads to a reduction of about 50% in cell efficiency compared to the ideal cell. سلول خورشیدی سیلیکونی لایه نازک, شبیه سازی الکترواپتیکی, عیب حجمی, عیب سطحی thin film silicon solar cell, Bulk defect, Interface defect, electro-optical simulation. 751 754 http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1971-99&slc_lang=fa&sid=1 masumeh samadi معصومه صمدی samadi_masumeh@yahoo.com 100319475328460010397 100319475328460010397 Yes University of Malayer دانشگاه ملایر hamed bahiraei حامد بحیرایی hamedbahiraei@gmail.com 100319475328460010398 100319475328460010398 No University of Malayer دانشگاه ملایر Gholamhosain Haidari غلامحسین حیدری moh1135@gmail.com 100319475328460010399 100319475328460010399 No Shahrekord University دانشگاه شهرکرد