fa اثرات شکاف باند خطی تراکم نقصالکترون و حفره در لایه جاذب سلول خورشیدی پروسکایت با لایه جاذب K3.5Rb0.05 (FA0.85MA0.15)0.95Pb(I0.85Br0.15)3 تخصصی Special تجربی Experimental <strong>برای اولین بار، لایه جاذب جدیدی از پروسکایت کاتیون چهارگانه تحت عنوان KRbFAMA معرفی شده است. در این تحقیق، منحنی‌های شبیه‌سازی چگالی جریان-ولتاژ (J-V) و بازده کوانتومی خارجی (EQE) به صورت عددی توسط دستگاه شبیه ساز SCAPS انجام گرفت. کارایی سلول خورشیدی پروسکایتی با در نظر گرفتن اثرات تراکم نقص الکترون و حفره در لایه جاذب افزایش یافت. پس از بهینه‌سازی پارامترهای ذکر شده، بازده سلول به 23.91% رسید.</strong> <strong>For the first time, a novel of quadruple-cation perovskite absorber, KRbFAMA, is introduced. The simulation of current density-voltage (J-V) and external quantum efficiency (EQE) curves of perovskite solar cell (PSC) were numerically simulated by SCAPS. The efficiency of the PSC was enhanced by considering the effects of electron and hole defect densities in the layer of absorber. After optimizing the mentioned parameters, efficiency is reached to 23.91%.</strong> بازده کوانتومی خارجی, پروسکایت, تراکم نقص الکترون, تراکم نقص حفره, چگالی جریان-ولتاژ Current density-Voltage, Electron defect density, External quantum efficiency, Hole defect density, and Perovskite 683 686 http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1971-66&slc_lang=fa&sid=1 Aminreza Mohandes امین رضا مهندس a.mohandes@shirazu.ac.ir 100319475328460010297 100319475328460010297 No Shiraz University Mahmood Moradi محمود مرادی mmoradi@shirazu.ac.ir 100319475328460010298 100319475328460010298 Yes Shiraz University دانشگاه شیراز Hamid nadgaran حمید نادگران nadgaran@shirazu.ac.ir 100319475328460010299 100319475328460010299 No Shiraz University