Accepted and Presented Articles of OPSI Conferences
مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانسهای انجمن اپتیک و فوتونیک ایران
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS
Basic Sciences
http://opsi.ir
1
admin
1126-3278
10
8
7
14
8888
13
fa
jalali
1400
12
1
gregorian
2022
3
1
28
2
online
1
fulltext
fa
رشد کریستال دوبعدی مولیبدن دی سلناید به روش رسوب بخار شیمیایی برای کاربرد در آشکارسازهای نوری
[1] P. Cambou, J.-L. Jaffard, “CMOS Image Sensors - Status of the CMOS Image
Sensor Industry report," Yole Developpment, 2015. M. Lundstrom, Fundamentals of Carrier Transport, p. 44, Cambridge University Press, 2000.
[2] A. Nathan, A. Ahnood, M. T. Cole, Y. Suzuki, P.
Hiralal,F.Bonaccorso,T. Hasan, L. Garcia-Gancedo,
A. Dyadyusha, S. Haque, P. Andrew, S. Hofmann,
J. Moultrie, A. J. Flewitt, A. C. Ferrari, M. J. Kelly,
J.Robertson,G. A. J. Amaratunga, and W. I. Milne,
“Flexible Electronics:The Next biquitous Platform,"
Proceedings of the IEEE,vol.100, pp. 1486-1517,
2012.
[3] Ye, T.; Li, J. Z.; Li, D. H. Charge-accumulation
effect in transition metal dichalcogenide
heterobilayers. Small 2019, 15, 1902424
[4] K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D.
Jiang, Y. Zhang, S. V. Dubonos, I. V. Grigorieva,
A. A. Firsov, Science 2004, 306, 666.
Y. Peng, Z. Meng, C. Zhong, J. Lu, W. Yu, Y. Jia,
Y. Qian, Chem.Lett. 2001, 30, 772.
[6] Luo, H.; Wang, B. L.; Wang, E. Z.; Wang, X. W.;
Sun, Y. F.; Li, Q. Q.; Fan, S. S.; Cheng, C.; Liu, K.
Phase-transitionmodulated, high-performance dualmode photodetectors based on WSe2/VO2
heterojunctions. Appl. Phys. Rev. 2019, 6, 041407
[7] Luo, H.; Wang, B. L.; Wang, E. Z.; Wang, X. W.;
Sun, Y. F.; Liu, K. High-responsivity photovoltaic
photodetectors based on MoTe2/
MoSe2 van der Waals heterojunctions. Crystals
2019, 9, 315.
تخصصی
Special
تجربی
Experimental
ویژگی های منحصر­­‏ به فرد مواد دوبعدی، آن ها را به کاندیدای مناسبی برای آشکارساز‏های با کارایی بالا تبدیل کرده است. اگرچه خواص الکترونیکی ویژه و ویژگی ‏های کاتالیستی چندلایه‏ های دوبعدی MoSe<sub>2</sub> توجه محققان را به‏ خود جلب کرده است، اما چند لایه‏ های دوبعدی MoSe<sub>2</sub> به دلیل جذب بسیار بالای نوری برای کاربرد در آشکارساز ها مناسب‏ تر می‏باشند. پیش از این تهیه‏‏ ی لایه‏ های نازک MoSe<sub>2</sub> به روش رسوب بخار شیمیایی انجام شده است و روش پیشنهادی در این پژوهش، سبب رشد نانو­پوسه های شش ضلعی MoSe<sub>2</sub> بر روی زیرلایه ای از Si/SiO<sub>2</sub> شده اند. نانوپوسه های رشد یافته مساحت­ های های نسبتا بزرگی به طول 70 میکرون دارند. تمامی فرآیند رشد در فشار اتمسفر صورت گرفته و دیود نوری بر پایه این ماده­ ی نیمه رسانا ساخته شده است. مشخصه یابی رامان حاکی از کیفیت بسیار بالای این چند لایه­ ها می باشد و فاصله ی دو قله­ی برجسته­ ی A<sup>1</sup><sub>g</sub> و E<sup>1</sup><sub>2g</sub> در پراکندگی رامان، ضخامت­های دو تا سه لایه­ ی اتمی را برای نانوپوسه­ ها تصدیق می­کند. <br>
اندازه گیری ­های اپتوالکترونیکی افزاره­­ی ساخته شده نشان دهنده­ی کاربرد های وسیع MoSe<sub>2</sub> در زمینه ی نانوالکترونیک می باشد.­­­­­ همان طور که نتایج نشان می دهد تحت تابش فوتونی با طول موج های متفاوت ، پاسخ نوری بالا (5 آمپر بر وات) و آشکارکنندگی ویژه قابل ملاحضه (10<sup>9</sup>×6/4) و زمان پاسخ سریع (7 میلی ثانیه) مشاهده شده است. دیود نوری چند لایه ی MoSe<sub>2</sub>عملکرد بسیار بالایی نشان داده است که با مهندسی مناسب این افزاره می­­توان این عملکرد را بهبود بخشید.
Abstract - In this study, pure zinc oxide nanoparticles and nickel-doped zinc oxide nanoparticles were prepared by sol-gel method and graphene quantum dots were prepared by pyrolysis method. Core-Shell structure, ZnO (pure and with nickel impurity)-graphene quantum dots was synthesized. The optical properties of these nanoparticles were studied by photoluminescence spectroscopy. According to the results, the contamination of zinc oxide with nickel element leads to a decrease in the peak intensity of ZnO emissions, but with the addition of quantum dots graphene, the intensity of emission peak increases. In the morphology study, the shape of the synthesized particles was investigated by scanning electron microscopy.
مواد دوبعدی, دی کالکوژن فلز واسطه, رسوب دهی بخار شیمیایی, نانوپوسههای MoSe2, آشکارساز نوری
ZnO, Nickel doped ZnO, Core-shell structure, Graphene quantum dots, Photoluminescence
359
362
http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1971-3&slc_lang=fa&sid=1
Ali
Esfandiar
علی
اسفندیار
esfandiar@physics.sharif.edu
100319475328460010097
100319475328460010097
Yes
Sharif University of Technology
دانشگاه صنعتی شریف
فاطمه
کریمی
fatemeh.karimi@physics.sharif.edu
100319475328460010098
100319475328460010098
No
Sharif University of Technology
دانشگاه صنعتی شریف
سهیل
قدس
soheil.ghods@physics.sharif.edu
100319475328460010099
100319475328460010099
No
Sharif University of Technology
دانشگاه صنعتی شریف