fa اندازه‌گیری نوری ضخامت لایه‌های نیمه هادی تخصصی Special پژوهشي Research <strong><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:12.0pt;">با توسعه فناوری نانو، نیاز به ساخت و توسعه ابزارهای اندازه‌گیری جز لاینفک تحقیقات بشمار می‌رود. در این پژوهش به طراحی و ساخت سیستم اندازه‌گیری نوری غیرتماسی ضخامت لایه‌های نیمه هادی پرداخته شده است. با استفاده از یک لیزر قرمز با طول موج 632.8 نانومتری (توان 2 میلی وات)، طراحی اپتیکی مناسب و چیدمان تداخل‌سنج فابری پرو فریز‌های تداخلی بدست می‌آیند. فریز‌های کروی بدست آمده با تغییر ضخامت سطحی بصورت مداوم تغییر می‌نمایند، و با شمارش این خطوط ضخامت لایه بدست می‌آید. با چیدمان مناسب اپتیکی، تشکیل این خطوط، طراحی مدار الکتریکی و استفاده از هوش مصنوعی ضخامت لایه نیمه هادی را با با چندین روش مختلف اندازه گرفته شده است. در این بین به بررسی هر روش پرداخته و در آخر با استفاده از فتودیود </span></span><span dir="LTR">Tsl 250</span><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:12.0pt;"> و استفاده از تحلیل ویدیو بهترین نتیجه و حداقل اندازه گیری 600 نانومتر ثبت شد.</span></span><span style="font-family:B Nazanin;"></span></strong> <strong>One of the requirements of research in the field of Nanotechnology is making and developing equipment for observing and measuring. In this study, a non-contact optical system is designed and made for measurement of semiconductor layer thickness. A red laser with a 632.8 nm wavelength (power of 2 mW), a proper optical design and arrangement of Fabry Perot interferormeter are used for interference fringes. As the thickness of semiconductor layer varies, the fringe spherical interference constantly changes as well. Then, the thickness of layers can be gauged by counting the lines. The variations are measured through several methods by a suitable optical set up, forming spherical lines, designing integrated circuit and using artificial intelligence. Meanwhile, the measurement methods were investigated. Finally, the best result and minimum measurement of 600 nm was recorded using image and video analysis by MATLAB program and utilizing photodiode Tsl 250.</strong> میکروسکوپ نوری؛ تداخل‌سنج فابری‌پرو؛ اندازه‌گیری ضخامت نیمه‌هادی Optical microscope, Fabry Perot interferometer, measurement of semiconductor layer 46 48 http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1972-17&slc_lang=fa&sid=1 Pedram Rezaee Sirous پدرام رضایی سیروس 100319475328460010005 100319475328460010005 Yes Dept. of Physics, Faculty of Basic Sciences, University of Guilan, Rasht, Iran گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه دانشگاه گیلان، رشت، ایران Saeed Batebi سعید باطبی 100319475328460010006 100319475328460010006 No Dept. of Physics, Faculty of Basic Sciences, University of Guilan, Rasht, Iran گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه دانشگاه گیلان، رشت، ایران