<?xml version="1.0" encoding="utf-8"?>
<journal>
<title>Accepted and Presented Articles of OPSI Conferences</title>
<title_fa>مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران</title_fa>
<short_title>ICOP &amp; ICPET _ INPC _ ICOFS</short_title>
<subject>Basic Sciences</subject>
<web_url>http://opsi.ir</web_url>
<journal_hbi_system_id>1</journal_hbi_system_id>
<journal_hbi_system_user>admin</journal_hbi_system_user>
<journal_id_issn>1126-3278</journal_id_issn>
<journal_id_issn_online>10</journal_id_issn_online>
<journal_id_pii>8</journal_id_pii>
<journal_id_doi>7</journal_id_doi>
<journal_id_iranmedex></journal_id_iranmedex>
<journal_id_magiran></journal_id_magiran>
<journal_id_sid>14</journal_id_sid>
<journal_id_nlai>8888</journal_id_nlai>
<journal_id_science>13</journal_id_science>
<language>fa</language>
<pubdate>
	<type>jalali</type>
	<year>1399</year>
	<month>11</month>
	<day>1</day>
</pubdate>
<pubdate>
	<type>gregorian</type>
	<year>2021</year>
	<month>2</month>
	<day>1</day>
</pubdate>
<volume>27</volume>
<number>2</number>
<publish_type>online</publish_type>
<publish_edition>1</publish_edition>
<article_type>fulltext</article_type>
<articleset>
	<article>


	<language>fa</language>
	<article_id_doi></article_id_doi>
	<title_fa>سنجش کیفیت باریکه لیزر نیمه‌هادی 808 نانومتر InAlGaAs/AlGaAs </title_fa>
	<title>Measurement of 808nm InAlGaAs/AlGaAs Diode Lasers Beam Quality</title>
	<subject_fa>تخصصی</subject_fa>
	<subject>Special</subject>
	<content_type_fa>پژوهشي</content_type_fa>
	<content_type>Research</content_type>
	<abstract_fa>&lt;strong&gt;&lt;span style=&quot;font-family:B Nazanin;&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-size:11.0pt;&quot;&gt;واگرایی بزرگ، عدم تقارن پروفایل میدان دور و نزدیک و آستیگمات بودن باریکه به&#8204;کارگیری آن را نسبت به باریکه لیزرهای دیگر دشوار می&#8204;سازد. لذا به&#8204;کارگیری باریکه لیزر نیمه هادی در کاربردهای مختلف مستلزم شکل&#8204;دهی باریکه و یاتزویج باریکه به فیبر نوری است. در این تحقیق با بکارگیری ساختار نامتقارن و افزایش ضخامت لایه موجبر با کنترل مدهای عرضی بدون کاهش کیفیت باریکه، واگرایی کاهش پیدا کرده است. همچنین در این نوشتار چیدمانی برای اندازه گیری کیفیت باریکه معرفی شده است که با تقریب بسیار مناسبی قابلیت به کارگیری را داراست.&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;/strong&gt;&lt;span dir=&quot;LTR&quot;&gt;&lt;/span&gt;&lt;br&gt;
&amp;nbsp;</abstract_fa>
	<abstract>&lt;h1&gt;&lt;span dir=&quot;RTL&quot;&gt;&lt;/span&gt;&lt;/h1&gt;
Large divergence, asymmetry of the near and far field profiles, and astigmatism of the laser diode beam are reason of make it more difficult to apply than other beam lasers. The use of semiconductor laser beams in various applications requires the beam shaping and fiber coupling of beam. In this research, divergence was reduced by using asymmetric structure and increasing the thickness of the waveguide layer by controlling the transverse modes without reducing the beam quality. Also in this paper, an arrangement for measuring the beam quality is introduced, which can be used with a very suitable approximation.&lt;br&gt;
&amp;nbsp;</abstract>
	<keyword_fa>لیزر نیمه‌هادی , ساختار نامتقارن , کیفیت باریکه , واگرایی محور تند</keyword_fa>
	<keyword>Semiconductor Laser, Asymmetric structure, Beam quality, Fast axis divergence</keyword>
	<start_page>805</start_page>
	<end_page>808</end_page>
	<web_url>http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-2463&amp;slc_lang=fa&amp;sid=1</web_url>


<author_list>
	<author>
	<first_name>Seyed Peyman</first_name>
	<middle_name></middle_name>
	<last_name>Abbasi </last_name>
	<suffix></suffix>
	<first_name_fa>سید پیمان</first_name_fa>
	<middle_name_fa></middle_name_fa>
	<last_name_fa>عباسی </last_name_fa>
	<suffix_fa></suffix_fa>
	<email></email>
	<code>10031947532846009429</code>
	<orcid>10031947532846009429</orcid>
	<coreauthor>Yes
</coreauthor>
	<affiliation>Iranian National Center for Laser Science and Technology, Tehran</affiliation>
	<affiliation_fa>مرکز ملی علوم و فنون لیزر ایران، خیابان ابطحی، کارگر شمالی، تهران</affiliation_fa>
	 </author>


	<author>
	<first_name>Hooman</first_name>
	<middle_name></middle_name>
	<last_name>Givkey</last_name>
	<suffix></suffix>
	<first_name_fa>هومن</first_name_fa>
	<middle_name_fa></middle_name_fa>
	<last_name_fa>گیوکی</last_name_fa>
	<suffix_fa></suffix_fa>
	<email></email>
	<code>10031947532846009430</code>
	<orcid>10031947532846009430</orcid>
	<coreauthor>No</coreauthor>
	<affiliation>Iranian National Center for Laser Science and Technology, Tehran</affiliation>
	<affiliation_fa>مرکز ملی علوم و فنون لیزر ایران، خیابان ابطحی، کارگر شمالی، تهران</affiliation_fa>
	 </author>


	<author>
	<first_name>Fatemeh</first_name>
	<middle_name></middle_name>
	<last_name>Razeghi</last_name>
	<suffix></suffix>
	<first_name_fa>فاطمه</first_name_fa>
	<middle_name_fa></middle_name_fa>
	<last_name_fa>رازقی</last_name_fa>
	<suffix_fa></suffix_fa>
	<email></email>
	<code>10031947532846009431</code>
	<orcid>10031947532846009431</orcid>
	<coreauthor>No</coreauthor>
	<affiliation>Iranian National Center for Laser Science and Technology, Tehran</affiliation>
	<affiliation_fa>مرکز ملی علوم و فنون لیزر ایران، خیابان ابطحی، کارگر شمالی، تهران</affiliation_fa>
	 </author>


</author_list>


	</article>
</articleset>
</journal>
