<?xml version="1.0" encoding="utf-8"?>
<journal>
<title>Accepted and Presented Articles of OPSI Conferences</title>
<title_fa>مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران</title_fa>
<short_title>ICOP &amp; ICPET _ INPC _ ICOFS</short_title>
<subject>Basic Sciences</subject>
<web_url>http://opsi.ir</web_url>
<journal_hbi_system_id>1</journal_hbi_system_id>
<journal_hbi_system_user>admin</journal_hbi_system_user>
<journal_id_issn>1126-3278</journal_id_issn>
<journal_id_issn_online>10</journal_id_issn_online>
<journal_id_pii>8</journal_id_pii>
<journal_id_doi>7</journal_id_doi>
<journal_id_iranmedex></journal_id_iranmedex>
<journal_id_magiran></journal_id_magiran>
<journal_id_sid>14</journal_id_sid>
<journal_id_nlai>8888</journal_id_nlai>
<journal_id_science>13</journal_id_science>
<language>fa</language>
<pubdate>
	<type>jalali</type>
	<year>1399</year>
	<month>11</month>
	<day>1</day>
</pubdate>
<pubdate>
	<type>gregorian</type>
	<year>2021</year>
	<month>2</month>
	<day>1</day>
</pubdate>
<volume>27</volume>
<number>2</number>
<publish_type>online</publish_type>
<publish_edition>1</publish_edition>
<article_type>fulltext</article_type>
<articleset>
	<article>


	<language>fa</language>
	<article_id_doi></article_id_doi>
	<title_fa>تحلیل اثر نقص استون-ولز روی خواص نوری نانونوار گرافنی با لبه آرمچیر</title_fa>
	<title>The Role of Stone-Wales Defect on the Optical Properties of Armchair Graphene Nanoribbon</title>
	<subject_fa>تخصصی</subject_fa>
	<subject>Special</subject>
	<content_type_fa>پژوهشي</content_type_fa>
	<content_type>Research</content_type>
	<abstract_fa>&lt;strong&gt;&lt;span style=&quot;font-family:B Nazanin;&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-size:11.0pt;&quot;&gt;در این مقاله&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;/strong&gt;&lt;strong&gt;&lt;span style=&quot;font-family:B Nazanin;&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-size:11.0pt;&quot;&gt;، &lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;/strong&gt;&lt;strong&gt;&lt;span style=&quot;font-family:B Nazanin;&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-size:11.0pt;&quot;&gt;اثر اعمال نقص استون&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;/strong&gt;&lt;strong&gt;&lt;span style=&quot;font-family:B Nazanin;&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-size:11.0pt;&quot;&gt;-ولز&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;/strong&gt;&lt;strong&gt;&lt;span style=&quot;font-family:B Nazanin;&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-size:11.0pt;&quot;&gt; روی هدایت نوری و طیف جذب &lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;/strong&gt;&lt;strong&gt;&lt;span style=&quot;font-family:B Nazanin;&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-size:11.0pt;&quot;&gt;آشکارساز نوری ساخته شده از &lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;/strong&gt;&lt;strong&gt;&lt;span style=&quot;font-family:B Nazanin;&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-size:11.0pt;&quot;&gt;نانونوار گرافن&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;/strong&gt; &lt;strong&gt;&lt;span style=&quot;font-family:B Nazanin;&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-size:11.0pt;&quot;&gt;آرمچیر بررسی شده است. با استفاده از روش تقریب تنگ&amp;shy;&#8204;بست و با در نظر گرفتن همسایه اول، ساختار انرژی نانونوارها محاسبه شده است. با استفاده از ساختار انرژی بدست آمده، چگالی حالت&amp;shy;&#8204;های دوگانه را محاسبه کرده و با استفاده از محاسبات فوق و با بکارگیری قانون طلایی فرمی، هدایت نوری نانونوار آرمچیر محاسبه شده است. طیف جذب و هدایت نوری نانونوارها در حالت&#8204;&amp;shy;های مختلف بررسی و مقایسه شده است. نتایج حاصل از تحلیل&amp;shy;&#8204;های عددی نشان می&amp;shy;&#8204;دهد که اعمال نقص به نانونوارهای گرافن فلزی با لبه آرمچیر می&amp;shy;&#8204;تواند باعث افزایش تعداد گذرهای مجاز و در نتیجه وسیع&amp;shy;&#8204;تر شدن طیف جذب نوری و هم&#8204;چنین افزایش هدایت نوری آشکارساز نوری در گستره انرژی&amp;shy;&#8204;های تابشی فروسرخ شود.&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;/strong&gt;</abstract_fa>
	<abstract>In this study, the effect of Stone-Wales defect on the optical properties of the armchair graphene nanoribbon (GNR) including joint density of states and optical absorption spectra is investigated. By using the tight binding approximation, the energy band structure of nanoribbon is computed by considering the first neighbor sites. Using the energy band structure, the joint density of states calculated by Fermi&amp;#39;s golden rule and band energy structures. By calculating the optical matrix elements and interband transition rule, the optical conductivity of the GNR is calculated. optical conductivity of nanoribbon is analyzed in the presence of Stone-Wales defects within different locations in GNR structure and compared with GNR with no defect state. The numerical result shows that by applying defect to the metallic type of the armchair GNR, the number of allowed optical interband transitions can be increased resulting in a broader range of optical absorption and also increasing the optical conductivity in the infrared range of incident energies.</abstract>
	<keyword_fa>تقریب تنگ­‌بست, چگالی حالت­‌های دوگانه, نانونوار گرافنی, نقص استون-ولز, هدایت نوری</keyword_fa>
	<keyword>Graphene nanoribbon, Tight-binding, Stone-Wales Defect, Joint density of state, optical conductivity</keyword>
	<start_page>781</start_page>
	<end_page>784</end_page>
	<web_url>http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-2457&amp;slc_lang=fa&amp;sid=1</web_url>


<author_list>
	<author>
	<first_name>Vahid </first_name>
	<middle_name></middle_name>
	<last_name>Faramarzi</last_name>
	<suffix></suffix>
	<first_name_fa>وحید</first_name_fa>
	<middle_name_fa></middle_name_fa>
	<last_name_fa>فرامرزی</last_name_fa>
	<suffix_fa></suffix_fa>
	<email></email>
	<code>10031947532846009499</code>
	<orcid>10031947532846009499</orcid>
	<coreauthor>Yes
</coreauthor>
	<affiliation> Department of Electrical and Computer Engineering, Tarbiat Modares University, Tehran, Iran.</affiliation>
	<affiliation_fa>دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه تربیت مدرس، تهران، ایران</affiliation_fa>
	 </author>


	<author>
	<first_name>Vahid</first_name>
	<middle_name></middle_name>
	<last_name>Ahmadi</last_name>
	<suffix></suffix>
	<first_name_fa>وحید</first_name_fa>
	<middle_name_fa></middle_name_fa>
	<last_name_fa>احمدی</last_name_fa>
	<suffix_fa></suffix_fa>
	<email></email>
	<code>10031947532846009500</code>
	<orcid>10031947532846009500</orcid>
	<coreauthor>No</coreauthor>
	<affiliation> Department of Electrical and Computer Engineering, Tarbiat Modares University, Tehran, Iran.</affiliation>
	<affiliation_fa>دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه تربیت مدرس، تهران، ایران</affiliation_fa>
	 </author>


</author_list>


	</article>
</articleset>
</journal>
