fa بررسی مشخصات اپتوالکترونیکی دیود نور گسیل آلی مبتنی بر ساختار ITO/MoO3/NPB/Alq3:DCJTB/Alq3/LiF/Al تخصصی Special پژوهشي Research <strong><span style="color:black;"><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">در این تحقیق، ویژگی‌های اپتوالکترونیکی</span></span></span></strong> <strong><span style="color:black;"><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">دیود نور گسیل آلی با ساختار </span></span></span></strong><span dir="LTR"><span style="color:black;">ITO/MoO₃/NPB/Alq₃:DCJTB/Alq₃/LiF/Al</span></span><strong><span style="color:black;"><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> شبیه‌سازی شده‌است. دیودهای نور گسیل آلی با لایه میزبان-مهمان (</span></span></span></strong><span dir="LTR"><span style="color:black;">Alq₃:DCJTB</span></span><strong><span style="color:black;"><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">) با نرم‌افزار </span></span></span></strong><span dir="LTR"><span style="color:black;">APSYS</span></span><strong><span style="color:black;"><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> (</span></span></span></strong><span dir="LTR"><span style="color:black;">Advanced Physical Model of Simulation Devices</span></span><strong><span style="color:black;"><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">) مورد بررسی قرار گرفتند. طول موج نشر در 520 نانومتر برای نمونه مرجع (بدون مهمان) ظاهر شد. پس از آن تاثیر حضور لایه میزبان-مهمان (</span></span></span></strong><span dir="LTR"><span style="color:black;">Alq₃:DCJTB</span></span><strong><span style="color:black;"><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">) با درصد وزنی&shy;‌های 0، 1، 5 و 10 در این ساختار مورد بررسی قرار گرفت. نتایج شبیه‌سازی نشان دادند که استفاده از لایه میزبان-مهمان (</span></span></span></strong><span dir="LTR"><span style="color:black;">Alq₃:DCJTB</span></span><strong><span style="color:black;"><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">) طول موج نشر را به 630 نانومتر انتقال می‌دهد. هم‌چنین نمونه ای با 5 درصد وزنی ماده مهمان </span></span></span></strong><span dir="LTR"><span style="color:black;">DCJTB</span></span><strong><span style="color:black;"><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> دارای بازدهی جریان بهتر نسبت به نمونه مرجع شد. منشأ فیزیکی عملکرد نوری بهبود یافته برای دیودهای نور گسیل آلی با حضور ساختار میزبان-مهمان (</span></span></span></strong><span dir="LTR"><span style="color:black;">Alq₃:DCJTB</span></span><strong><span style="color:black;"><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">) می‌تواند به‌دلیل افزایش الکترون&shy;‌ها و حفره‌&shy;ها در رابط بین لایه‌های </span></span></span></strong><span dir="LTR"><span style="color:black;">Alq₃: DCJTB</span></span><strong><span style="color:black;"><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> و </span></span></span></strong><span dir="LTR"><span style="color:black;">Alq₃</span></span><strong><span style="color:black;"><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> باشد،که این امر منجر به افزایش نرخ بازترکیبی تابشی و بهبود بازدهی جریان می‌شود.</span></span></span></strong> <div><strong>In this research, optoelectronic properties of OLED structure consisting ITO/MoO₃/NPB/Alq₃:</strong> <strong>DCJTB/Alq₃/LiF/Al layers was investigated. OLEDs with host-guest layer (Alq₃: DCJTB) were simulated with the APSYS (abbreviation of Advanced Physical Model of Simulation Devices) simulation program. In reference sample (without guest), the emission wavelength was appeared at 520 nm. Then, the effect of the presence the guest in host layer (Alq₃: DCJTB) with different weight percent (1, 5 and 10 %w) was simulated. The results were showed that the emission wavelength was shifted to 630 nm. Also, the OLED structure with Alq₃:</strong> <strong>DCJTB (5%w) layer had a better current efficiency than other samples. Improvement of optical performance of the host-guest OLED structures is due to the increase of electrons and holes between Alq₃: DCJTB and Alq₃ layers which lead to raise the radiative recombination rate and improve current efficiency.</strong></div> الکترولومینسانس, دیود نور گسیل آلی, شبیه‌سازی, میزبان-مهمان, نور قرمز Electroluminescence, Host-guest, OLED, Red light, Simulation 581 584 http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-2411&slc_lang=fa&sid=1 Fatemeh Abbasi فاطمه عباسی 10031947532846009772 10031947532846009772 No Department of Laser and Photonics Faculty of Physics University of Kashan, Kashan دانشکده لیزر و فوتونیک دانشکده فیزیک دانشگاه کاشان، کاشان Seyed Mohammad Bagher Ghorashi سید محمدباقر قرشی 10031947532846009773 10031947532846009773 Yes Department of Laser and Photonics Faculty of Physics University of Kashan, Kashan دانشکده لیزر و فوتونیک دانشکده فیزیک دانشگاه کاشان، کاشان Elmira Karimzadeh المیرا کریم‌زاده 10031947532846009774 10031947532846009774 No Department of Materials Engineering, Isfahan University of Technology, Isfahan گروه مهندسی مواد، دانشگاه صنعتی اصفهان، اصفهان