fa بهبود بازدهی سلول خورشیدی سیلیکونی به کمک لایه ضدبازتاب TiO2 و نانوذرات نقره تخصصی Special پژوهشي Research <span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:12.0pt;">بهبود بازدهی و کاهش هزینه تمام شده در سلول‌های خورشیدی سیلیکونی، کارایی آن‌ها را به عنوان سلول‌های تجاری به شدت افزایش داده است. استفاده از لایه ضدبازتاب و همچنین پوشش نانوذرات فلزی پلاسمونی از متداول‌ترین روش‌های بهبود بازدهی و کاهش هزینه</span></span><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:12.0pt;">‌ها</span></span><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:12.0pt;"> در سلول‌های لایه نازک سیلیکونی است. در این مقاله با استفاده از نرم افزار شبیه ساز</span></span><span dir="LTR"> Silvaco </span><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:12.0pt;">به کمک لایه ضدبازتاب </span></span><span dir="LTR">TiO₂</span><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:12.0pt;"> و همچنین نانوذرات پلاسمونی نقره، بازدهی سلول لایه نازک سیلیکونی به ترتیب از 42/10 در سلول خورشیدی بدون لایه بازتاب و نانوذره، تا 75/18 درصد در سلول همراه با لایه ضدبازتاب و در نهایت تا 36/25 درصد در سلول همراه با لایه ضدبازتاب و نانوذرات نقره افزایش یافته است. از این ساختارها می‌توان برای تجاری‌سازی سلول‌های سیلیکونی با بازدهی مناسب استفاده کرد.</span></span><br> &nbsp; <div>Efficiency improvement and subtraction the final cost of Silicon solar cells has greatly increased their use as commercial cells. Anti-reflective coating (ARC) as well as plasmonic metal nanoparticles are as the most common ways to improve the efficiency and reduce the costs. In this paper, simulation with Silvaco, with TiO₂ as ARC and Ag as NPs, the efficiency of the solar cell has improved from 10.42 % in bare solar cell, 18.75 % in cells with ARC, to 25.36 % in cells with ARC and Ag nanoparticles. These structures can be used to commercialize efficient silicon solar cells.</div> سلول خورشیدی سیلیکونی لایه نازک؛ لایه ضدبازتاب TiO2؛ نانوذرات نقره؛ افزایش بازدهی؛ ​​​​​​​ Thin Film Silicon Solar Cell, TiO2 as ARC, Ag Nanoparticles, Efficiency improvement, 121 123 http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-2252&slc_lang=fa&sid=1 Azin Jafari آذین جعفری 10031947532846009247 10031947532846009247 No Electronic Materials Laboratory, Electrical Engineering Department, K. N. Toosi University of Technology, Tehran, Iran آزمایشگاه خواص الکترونیکی مواد، دانشکده مهندسی برق، دانشگاه صنعتی خواجه نصیر الدین طوسی، تهران، ایران Alireza Ranjkesh علیرضا رنجکش 10031947532846009248 10031947532846009248 Yes Electronic Materials Laboratory, Electrical Engineering Department, K. N. Toosi University of Technology, Tehran, Iran آزمایشگاه خواص الکترونیکی مواد، دانشکده مهندسی برق، دانشگاه صنعتی خواجه نصیر الدین طوسی، تهران، ایران Zohreh Golshan Bafghi زهره گلشن بافقی 10031947532846009249 10031947532846009249 No Nanostructures Lab, Electrical Engineering Department, K. N. Toosi University of Technology, Tehran, Iran آزمایشگاه ادوات نانوساختار الکترونیکی، دانشکده مهندسی برق، دانشگاه صنعتی خواجه نصیر الدین طوسی، تهران، ایران Negin manavizadeh نگین معنوی‌زاده 10031947532846009250 10031947532846009250 No Nanostructures Lab, Electrical Engineering Department, K. N. Toosi University of Technology, Tehran, Iran آزمایشگاه ادوات نانوساختار الکترونیکی، دانشکده مهندسی برق، دانشگاه صنعتی خواجه نصیر الدین طوسی، تهران، ایران