fa بهبود بازدهی مبدل فوتوولتاییک دو پیوندی GaInP/GaAs تخصصی Special پژوهشي Research &nbsp;<span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:12.0pt;">بازدهی بالای سلول‌های خورشیدی با بهره‌گیری از فناوری</span></span><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:12.0pt;"> چندپیوندی </span></span><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:12.0pt;">نظیر </span></span><span dir="LTR">GaAs</span><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:12.0pt;">، تاثیر زیادی در افزایش کارایی این سلول‌ها و تمرکز بر ساخت و بهینه‌سازی پارامترهای آن‌ها داشته است. </span></span><span dir="LTR">GaAs</span><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:12.0pt;"> با ضریب جذب در طیف مرئی بسیار بالاتر نسبت به </span></span><span dir="LTR">Si</span><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:12.0pt;">، می تواند با ویفری بسیار نازک‌تر از ویفر سیلیکون در </span></span><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:12.0pt;">جذب یکسان فوتون</span></span><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:12.0pt;"> کار کند. در این مقاله با استفاده از نرم افزار</span></span><span dir="LTR">Silvaco </span>&nbsp;<span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:12.0pt;">سلول خورشیدی دو پیوندی</span></span><span dir="LTR"> GaInP/GaAs </span><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:12.0pt;">&nbsp;بهینه‌سازی </span></span><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:12.0pt;">شده است. ابتدا ساختار سلول اولیه منطبق با نتایج عملی ساخت </span></span><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:12.0pt;">و با چگالی ناخالصی‌ مشخص</span></span><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:12.0pt;"> آماده‌سازی می‌شود و در ادامه با تغییر نوع ماده نیمه‌رسانا در لایه امیتر و همچنین بهینه سازی چگالی ناخالصی لایه بیس و امیتر، سلول بهینه پیشنهادی آماده می‌شود. این کار با هدف بهبود عملکرد سلول خورشیدی </span></span><span dir="LTR">GaInP/GaAs</span> <span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:12.0pt;">بوده که نتایج بدست آمده</span></span><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:12.0pt;">، </span></span><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:12.0pt;">یک بهبود </span></span><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:12.0pt;">87/10 </span></span><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:12.0pt;">درصدی و 35/1 درصدی </span></span><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:12.0pt;">به ترتیب </span></span><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:12.0pt;">در بازدهی و فاکتور پرشدگی و یک افزایش حدود 1 ولتی در ولتاژ مدار باز سلول را نشان داده است.</span></span><span dir="LTR"></span><br> <span dir="LTR"></span> <div>The high efficiency of solar cells due to the use of multi junction as GaAs, has a great impact on increasing the efficiency of these cells and on both fabrication and optimization of their parameters. Higher absorption coefficient in the visible spectrum than Si, GaAs can work with a much thinner wafer, absorbing photons as much as the conventional Si cells. In this paper, GaInP/GaAs dual junction solar cell is optimized using Silvaco simulator software. First, the structure of the primary cell according to the fabrication results on GaAs with specific impurity densities is prepared. Then, through changing the material in the emitter layer and optimizing the impurity density of the base and emitter layers, the improved cell has been simulated. The aim of this work was to improve the performance of the GaInP/GaAs solar cell, applying the changes and optimizing the results showed a 10.87% and 1.35% improvement in efficiency and fill factor with near 1-volt increasement in open circuit voltage.</div> مبدل فوتوولتاییک؛ سلول‌خورشیدی چندپیوندی؛ ایندیم‌گالیم‌آرسناید؛ شبیه‌سازی و بهینه‌سازی پارامترها؛ Photovoltaic modules, multi junction solar cells, InGaAs, Simulation and Optimization, 118 120 http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-2251&slc_lang=fa&sid=1 Azin Jafari آذین جعفری 10031947532846009243 10031947532846009243 No Electronic Materials Laboratory, Electrical Engineering Department, K. N. Toosi University of Technology, Tehran, Iran آزمایشگاه خواص الکترونیکی مواد، دانشکده مهندسی برق، دانشگاه صنعتی خواجه نصیر الدین طوسی، تهران، ایران Alireza Ranjkesh علیرضا رنجکش 10031947532846009244 10031947532846009244 Yes Electronic Materials Laboratory, Electrical Engineering Department, K. N. Toosi University of Technology, Tehran, Iran آزمایشگاه خواص الکترونیکی مواد، دانشکده مهندسی برق، دانشگاه صنعتی خواجه نصیر الدین طوسی، تهران، ایران Reza Razmand رضا رازمند 10031947532846009245 10031947532846009245 No Electronic Materials Laboratory, Electrical Engineering Department, K. N. Toosi University of Technology, Tehran, Iran آزمایشگاه خواص الکترونیکی مواد، دانشکده مهندسی برق، دانشگاه صنعتی خواجه نصیر الدین طوسی، تهران، ایران Negin Manavizadeh نگین معنوی‌زاده 10031947532846009246 10031947532846009246 No Nanostructures Lab, Electrical Engineering Department, K. N. Toosi University of Technology, Tehran, Iran آزمایشگاه ادوات نانوساختار الکترونیکی، دانشکده مهندسی برق، دانشگاه صنعتی خواجه نصیر الدین طوسی، تهران، ایران