en ساخت لایه جاذب چهارتایی Cu2ZnSnS4 (CZTS) به روش کند و پاش جریان مستقیم با هدف‌های فلزی و سولفوره کردن تخصصی Special پژوهشي Research <span dir="LTR">Cu₂ZnSnS₄</span> <strong><span style="font-family:B Nazanin;">یکی از لایه‌های جاذب مورد توجه در سلول‌های خورشیدی لایه نازک است. طی دهه گذشته سلول‌های خورشیدی مبتنی بر کسترایت‌ها پیشرفت چشمگیری داشته‌اند. در این تحقیق، ساخت لایه نازک جاذب </span></strong><span dir="LTR">CZTS</span><strong><span style="font-family:B Nazanin;"> با استفاده از کند و پاش جریان مستقیم با هدف‌های فلزی مس، روی و قلع و یک مرحله سولفوره کردن را ارائه می‌کنیم. در لایه‌ جاذب ساخته شده نسبت‌های اتمی به ترتیب 13/17، 21/14، 25/12 و 41/56 درصد برای مس، روی، قلع و گوگرد است که منجر به نسبت‌های ترکیبی </span></strong><span dir="LTR">Zn/Sn</span><strong><span style="font-family:B Nazanin;"> و </span></strong><span dir="LTR">Cu/(Zn+Sn)</span><strong><span style="font-family:B Nazanin;"> 16/1 و 65/0 می‌شود. گاف نوری این لایه 48/1 الکترون ولت است. این روش بسیار کارا و صنعتی بوده که کنترل خوبی بر استوکیومتری مواد در اختیار ما می‌گذارد. لایه </span></strong><span dir="LTR">CZTS</span><strong><span style="font-family:B Nazanin;"> ساخته شده در این مطالعه دارای ساختار تک ‌فاز، همراه با خواص بلوری و ویژگی‌های نوری مطلوبی بوده که توسط آنالیزهای </span></strong><span dir="LTR">EDS</span><strong><span style="font-family:B Nazanin;">، </span></strong><span dir="LTR">XRD</span><strong><span style="font-family:B Nazanin;">، &nbsp;طیف رامان و </span></strong><span dir="LTR">UV-Vis</span><strong><span style="font-family:B Nazanin;"> تایید می‌شود.</span></strong><strong><span style="font-family:Arial,sans-serif;"></span></strong> Cu₂ZnSnS₄ is an intriguing absorber layer in thin-film photovoltaics. Solar cells based on kesterite have made considerable progress over the past few decades. In this work, we present the fabrication of bare Cu₂ZnSnS₄ absorber layer through DC sputtering of Cu, Zn and Sn metallic targets with a post-sulfurization step which reached atomic ratios of 17.13%, 14.21%, 12.25% and 56.41% for Cu, Zn, Sn, and S, respectively, leading to compositional ratios of 1.16 and 0.65, respectively for Zn/Sn and Cu/(Zn+Sn). The optical bandgap of the layer was 1.48 eV. This method is a versatile and industrial technique that provides good control over the material stoichiometry and is suitable for large scale production. The CZTS layer prepared in this work demonstrates high purity, good crystallographic and desirable optical features which are confirmed by EDS, XRD, Raman measurements and UV-Vis analysis. سلول خورشیدی لایه نازک؛ لایه جاذب؛ کند و پاش جریان مستقیم Cu2ZnSnS4, Thin-film solar cells, DC magnetron sputtering 1141 1144 http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-2187&slc_lang=en&sid=1 Soheil Alee سهیل عالی 10031947532846008986 10031947532846008986 No Shahid Beheshti University دانشگاه شهید بهشتی Morteza Ahmadi سید مرتضی احمدی ملاسرایی 10031947532846008987 10031947532846008987 No Shahid Beheshti University دانشگاه شهید بهشتی Mina Soltanmohammadi مینا سلطان محمدی 10031947532846008988 10031947532846008988 No Shahid Beheshti University دانشگاه شهید بهشتی Morteza Asemi مرتضی عاصمی 10031947532846008989 10031947532846008989 No Shahid Beheshti University دانشگاه شهید بهشتی Majid Ghanaatshoar مجید قناعت شعار 10031947532846008990 10031947532846008990 Yes Shahid Beheshti University دانشگاه شهید بهشتی