en بررسی خواص اپتیکی و ترکیبی ایندیوم آلومینیوم نیترید به عنوان یک ماده جدید در گسیلنده های نوری تخصصی Special پژوهشي Research <span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:12.0pt;">ایندیوم آلومینیوم نترید (</span></span><span dir="LTR">InAlN</span><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:12.0pt;">)</span></span><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:12.0pt;"> یک ماده نیمه هادی مهم و البته چالشی از دسته &nbsp;نیمه هادی های نیتریدی بوده که اخیرا مورد توجه دانشمندان قرار گرفته است. یکی از چالش های اساسی فرآوری این ماده، مشخص کردن پهنای باند در غلطت های پایین ایندیوم است و هنوز تحقیقات و داده های قابل اتکایی برای آن وجود ندارد. در اینجا، چاه های کوانتومی به روش اپیتکسیال بر روی زیرلایه از جنس آلومینا رشد داده شده و مشاهده شد که در طول موج های بین 300 الی 350 نانومتر نور گسیل می کنند. همچنین لایه های با ضخامت حدود 100 نانومتر رشد داده شده و پهنای نواری </span></span><span dir="LTR">InAlN</span><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:12.0pt;"> بوسیله فتولومینسانس اندازه گیری شد. مشاهده شد که با افزایش دمای رشد از غلظت ایندیوم کاسته شده و همچنین با افزایش غلظت ایندیوم پهنای باند به سرعت و بصورت غیر خطی کاهش می یابد</span></span><strong><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:12.0pt;">.</span></span></strong><span dir="LTR"></span> Among all III-Nitride materials Indium Aluminium Nitride (InAlN)&nbsp; is an important but challenging material system used in many applications including InAlN/GaN high electron mobility transistors, InAlN/GaN Bragg reflectors and InAlN-based photodetectors. Despite this, a significant discrepancy (&plusmn;0.3 eV) exists in the band-gaps reported for even the most studied and technologically relevant compositions, around the lattice matched condition to GaN. For accurate estimation of band-gap across the whole composition range, a detailed data set for the lowest indium content region is needed, but has not been available. Here InAlN/AlGaN multiple quantum wells (MQWs) emitting between 300 and 350 nm have been prepared by metalorganic organic chemical vapor deposition (MOCVD) on planar AlN templates. Also we studied InAlN epitaxial layers grown on AlN by MOVPE at different temperatures and determined their band-gap Eg by means of photoluminescence excitation spectroscopy. ایندیوم آلومینیوم نیترید, اپیتکسی, گسیلنده نور, باند انرژی Indium Aluminium Nitride, InAlN, Band-Gap, Luminescence, Epitaxy, MOCVD 1125 1128 http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-2183&slc_lang=en&sid=1 Shahab Noroozian Alam شهاب نوروزیان علم 10031947532846008972 10031947532846008972 Yes 2. Photonics Centre, Tyndall National Institute, Cork, Ireland موسسه ملی تیندال Vitaly Zubialevich ویتالی زوبیالویچ 10031947532846008973 10031947532846008973 No 2. Photonics Centre, Tyndall National Institute, Cork, Ireland موسسه ملی تیندال Bijan Ghafary بیژن غفاری 10031947532846008974 10031947532846008974 No 1. Physics Department, Iran University of Science & Technology, Tehran, Iran دانشگاه علم و صنعت ایران Peter Parbrook پیتر پاربروک 10031947532846008975 10031947532846008975 No 2. Photonics Centre, Tyndall National Institute, Cork, Ireland موسسه ملی تیندال