fa طراحی و شبیه‌سازی سوئیچ پلاسمونیک پهن‌باند مبتنی بر دی‌اکسید وانادیوم در ناحیه فروسرخ تخصصی Special پژوهشي Research <strong><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">در این مقاله یک نانوسوئیچ پلاسمونیک مبتنی بر دی&shy;اکسید وانادیوم </span></span></strong><span dir="LTR">(VO₂)</span><strong><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> در ناحیه فروسرخ طراحی و شبیه‌سازی شده است. سوئیچینگ نوری در این نانوساختار ناشی از تغییر فاز لایه </span></span></strong><span dir="LTR">VO₂</span><strong><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> از فلز به عایق با تغییر دما است. انتقال فاز لایه </span></span></strong><span dir="LTR">VO₂</span><strong><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> منجر به تغییر در طیف جذب نانوساختار می&shy;شود. با انتخاب مقادیر&nbsp; </span></span></strong><span dir="LTR">nm</span><strong><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> 340 و </span></span></strong><span dir="LTR">nm</span><strong><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> 20، به‌ترتیب، برای ضخامت لایه‌های </span></span></strong><span dir="LTR">SiO₂</span><strong><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> و </span></span></strong><span dir="LTR">VO₂</span><strong><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> جذب بالای 99% در فاز عایقی و نزدیک صفر در فاز فلزی حاصل شده است. در نتیجه، نسبت خاموشی به‌دست آمده برای سوئیچ پیشنهادی برابر </span></span></strong><strong><span dir="LTR"><span style="font-size:9.0pt;">dB</span></span></strong><strong><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> 8/11 است. نتایج به&shy;دست آمده در این پژوهش، قابلیت بالای استفاده از اکسیدهای وانادیوم به&shy;عنوان ماده مناسب برای استفاده در ادوات پلاسمونیک مانند مدولاتورها و حسگرها در فرکانس‌های نوری را نشان می&shy;دهد.</span></span></strong> In this paper, a plasmonic nanoswitch that is composed of vanadium dioxide (VO₂) in infrared region is designed and simulated. The optical switching of this nanostructure is due to the phase transition of insulation to metal in the VO₂ layer with temperature change. The phase transition of the VO₂ layer results in a change in the absorption spectrum of the nanostructure. By choosing the values of 340 nm and 20 nm for the thicknesses of the SiO₂ and VO₂ layers, respectively, the absorptions of above 99% in the insulation phase and near zero in the metal phase are obtained. Therefore, the attained extinction ratio of the proposed switch is 11.8 dB. Obtained results demonstrate the high potential of vanadium oxides as efficient material for plasmonic devices such as modulators and sensors at optical frequencies. پلاسمون سطحی, دی‌اکسید وانادیوم, سوئیچ پلاسمونیک, نسبت خاموشی Extinction Ratio, Plasmonic Switch, Surface plasmon, Vanadium Dioxide. 477 480 http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-2074&slc_lang=fa&sid=1 Tahereh Panahi طاهره پناهی 10031947532846008588 10031947532846008588 Yes Department of Electrical Engineering, Shiraz University of Technology دانشگاه صنعتی شیراز Najmeh Nozhat نجمه نزهت 10031947532846008589 10031947532846008589 No Department of Electrical Engineering, Shiraz University of Technology دانشگاه صنعتی شیراز