fa بررسی تأثیر لایه مسدودکننده الکترون (EBL) AlGaN بر مشخصه‌های سلول‌های خورشیدی چاه کوانتومی چندگانه InGaN/GaN تخصصی Special پژوهشي Research <strong><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">در این مقاله جهت بررسی تأثیر لایه مسدود‌کننده الکترون (</span></span></strong><span dir="LTR">EBL</span><strong><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">) </span></span></strong><span dir="LTR">AlGaN</span><strong><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> بر مشخصه‌های سلول‌های خورشیدی چاه کوانتومی چندگانه </span></span></strong><span dir="LTR">InGaN/GaN</span><strong><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">، ابتدا این ساختار بدون لایه </span></span></strong><span dir="LTR">EBL</span><strong><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> با استفاده از نرم‌افزار سیلواکو-اطلس شبیه‌سازی شد و مقدار بازده 80/27 درصد به‌دست آمد. سپس با افزودن لایه مسدودکننده الکترون </span></span></strong><span dir="LTR">p-Al_0.1Ga_0.9N</span><strong><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> با ضخامت </span></span></strong><span dir="LTR">nm</span><strong><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">20 به ازای مقدار ناخالصی‌های مختلف، مشخصه‌های سلول مورد بررسی قرار گرفت و مقدار بهینه برای بازده، 05/40 درصد به ازای مقدار ناخالصی&nbsp; &nbsp;&nbsp;^3-</span></span></strong><span dir="LTR">cm</span><strong><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> &nbsp;10¹⁹</span></span></strong><strong><span style="font-size:11.0pt;">&times;</span></strong><strong><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">2 &nbsp;به‌دست آمد. نتایج شبیه‌سازی نشان داد که افزودن لایه مسدودکننده الکترون </span></span></strong><span dir="LTR">p-AlGaN</span><strong><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> به ساختار سلول، انحراف باند رسانش را افزایش می‌دهد. این امر شارش الکترون‌ها به ناحیه </span></span></strong><span dir="LTR">p</span><strong><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> &nbsp;را مسدود خواهد کرد و درنتیجه به علت کاهش بازترکیب و بهبود جمع‌آوری حفره‌ها، بازده سلول خورشیدی افزایش خواهد یافت.</span></span></strong> In this paper, to investigate the effect of AlGaN electron blocking layer (EBL) on the characteristics of InGaN/GaN multi-quantum-well solar cells, at first this structure without EBL layer was simulated using Silvaco-atlas software and efficiency of 27.80% was achieved. Then by inserting a 20nm p-Al_0.1Ga_0.9N electron blocking layer the cell characteristics was evaluated for different doping values, and the optimal efficiency for 2&times;10¹⁹ cm^-3 doping concentration was obtained 40.05%. Simulation results show that inserting the p-AlGaN EBL layer to the cell structure increased the conduction band offset. This will block the flow of electrons to the p-region, consequently the solar cell efficiency will be increased due to the reducing of recombination and improving the hole collection. بازده, چاه کوانتومی چندگانه, سلول خورشیدی, شبیه‌سازی, لایه مسدودکننده الکترون Efficiency, Multi-quantum-well, Solar cell, Simulation, Electron blocking layer 449 452 http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-2064&slc_lang=fa&sid=1 Ali Nasiri علی نصیری 10031947532846008556 10031947532846008556 Yes Graduate University of Advanced Technology, Kerman دانشگاه تحصیلات تکمیلی صنعتی و فناوری پیشرفته کرمان Azita Zandi Goharrizi آزیتا زندی گوهرریزی 10031947532846008557 10031947532846008557 No Graduate University of Advanced Technology, Kerman دانشگاه تحصیلات تکمیلی صنعتی و فناوری پیشرفته کرمان Hassan Safari حسن صفری 10031947532846008558 10031947532846008558 No Graduate University of Advanced Technology, Kerman دانشگاه تحصیلات تکمیلی صنعتی و فناوری پیشرفته کرمان Ghasem Alahyarizadeh قاسم اله یاری زاده 10031947532846008559 10031947532846008559 No Engineering Department, Shahid Beheshti University, Tehran دانشگاه شهید بهشتی