fa آشکارساز نوری سدشاتکی با قابلیت پاسخدهی بالا تخصصی Special پژوهشي Research <strong><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">در این مقاله، ساختاری از آشکارساز نوری گالیوم آرسناید با پیوند شاتکی فلز طلا شبیه سازی شده است. یک توری فلزی بر روی لایه نیم&shy;رسانا قرار داده شد. </span></span></strong><strong><span style="color:black;"><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">توری فلزی همراه با شکاف&shy;های خیلی باریک و عمق کافی، تشدید&shy;های عبور را برای طول موج&shy;های بزرگتر از دوره توری تحریک می&shy;کند.</span></span></span></strong> <strong><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">در این طرح، </span></span></strong><strong><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:11.5pt;">برای افزایش جذب نور، فاصله شکاف&shy;ها به نحوی تنظیم شد که باعث تحریک پلاسمون&shy;های سطحی در محل اتصال فلز-نیم&shy;رسانا گردید.</span></span></strong><strong><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> تحریک پلاسمون&shy;های سطحی در محل اتصال فلز-&rlm;نیم&rlm;رسانا باعث تشدید میدان الکترومغناطیسی در پیوندگاه می&shy;شود. در این آشکارساز، جریان نوری و پاسخ</span></span></strong><strong><span style="font-family:Calibri,sans-serif;"><span style="font-size:11.0pt;">&rlm;</span></span></strong><strong><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">&rlm;دهی نوری به ترتیب </span></span></strong><strong><span dir="LTR"><span style="font-size:9.0pt;">mA</span></span></strong> <strong><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">5/3 و </span></span></strong><strong><span dir="LTR"><span style="font-size:9.0pt;">A/W</span></span></strong> <strong><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">5/10 در بایاس </span></span></strong><strong><span dir="LTR"><span style="font-size:9.0pt;">V</span></span></strong> <strong><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">1 و در طول موج </span></span></strong><strong><span dir="LTR"><span style="font-size:9.0pt;">nm</span></span></strong> <strong><span style="font-family:B Nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">850 بدست آمد.</span></span></strong> In this Paper, a structure of the gallium arsenide photodetector with a gold metal Schottky junction has been simulated. A metal grating was placed on the semiconductor layer. Metal grids with very narrow slits and sufficient depth, increase the transmission resonance for wavelengths larger than the grating period. To increase the light absorption, the slits distance was adjusted to excite surface plasmons at the metal-semiconductor junction. &nbsp;excitation of surface plasmons at the metal-semiconductor junction, intensifies electromagnetic field at the junction. The photocurrent and responsivity of the photodetector were respectively 3.5 mA and 10.5 A/W at a bias voltage of 1V bias and at Wavelength of 850. آشکارساز نوری, سد شاتکی, پلاسمون سطحی, نانو توری Photodetector, Schottky barrier, surface plasmon, nano-grating. 377 380 http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-2043&slc_lang=fa&sid=1 Soleiman Rezaeian koochi سلیمان رضائیان کوچی 10031947532846008485 10031947532846008485 Yes University of Sistan and Baluchestan دانشگاه سیستان و بلوچستان Naser Hatefi Kargan ناصر هاتفی کرگان 10031947532846008486 10031947532846008486 No University of Sistan and Baluchestan دانشگاه سیستان و بلوچستان Ahmadreza Daraei احمدرضا دارائی 10031947532846008487 10031947532846008487 No University of Sistan and Baluchestan دانشگاه سیستان و بلوچستان