<?xml version="1.0" encoding="utf-8"?>
<journal>
<title>Accepted and Presented Articles of OPSI Conferences</title>
<title_fa>مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران</title_fa>
<short_title>ICOP &amp; ICPET _ INPC _ ICOFS</short_title>
<subject>Basic Sciences</subject>
<web_url>http://opsi.ir</web_url>
<journal_hbi_system_id>1</journal_hbi_system_id>
<journal_hbi_system_user>admin</journal_hbi_system_user>
<journal_id_issn>1126-3278</journal_id_issn>
<journal_id_issn_online>10</journal_id_issn_online>
<journal_id_pii>8</journal_id_pii>
<journal_id_doi>7</journal_id_doi>
<journal_id_iranmedex></journal_id_iranmedex>
<journal_id_magiran></journal_id_magiran>
<journal_id_sid>14</journal_id_sid>
<journal_id_nlai>8888</journal_id_nlai>
<journal_id_science>13</journal_id_science>
<language>fa</language>
<pubdate>
	<type>jalali</type>
	<year>1398</year>
	<month>11</month>
	<day>1</day>
</pubdate>
<pubdate>
	<type>gregorian</type>
	<year>2020</year>
	<month>2</month>
	<day>1</day>
</pubdate>
<volume>26</volume>
<number>ICOP & ICPET 2020</number>
<publish_type>online</publish_type>
<publish_edition>1</publish_edition>
<article_type>fulltext</article_type>
<articleset>
	<article>


	<language>fa</language>
	<article_id_doi></article_id_doi>
	<title_fa>مهندسی ارتفاع سد شاتکی در ساختار های هیبریدی گرافن-دی‌چالکوجناید فلزات واسطه دو بعدی</title_fa>
	<title>Engineering of Schottky Barrier Height in Graphene -Transition Metal Dichalgocenide-based Heterostructures</title>
	<subject_fa>تخصصی</subject_fa>
	<subject>Special</subject>
	<content_type_fa>پژوهشي</content_type_fa>
	<content_type>Research</content_type>
	<abstract_fa>&lt;strong&gt;&lt;span style=&quot;font-family:b nazanin;&quot;&gt;مواد دوبعدی دی&#8204;چالکوجناید فلزات واسطه، &amp;nbsp;مواد جدید در حال ظهور هستند که خصوصیات آن&lt;/span&gt;&lt;/strong&gt;&lt;strong&gt;&lt;span dir=&quot;LTR&quot;&gt;&#8204;&lt;/span&gt;&lt;/strong&gt;&lt;strong&gt;&lt;span style=&quot;font-family:b nazanin;&quot;&gt;ها سبب جذاب شدن آن&#8204;ها برای کاربرد&#8204;های نانو فوتونیکی و نانو الکترونیکی شده است.&lt;/span&gt;&lt;/strong&gt; &lt;strong&gt;&lt;span style=&quot;font-family:b nazanin;&quot;&gt;همین&#8204;طور مواد دوبعدی مانند گرافن که شبه فلز است، اگر با نیم&lt;/span&gt;&lt;/strong&gt;&lt;strong&gt;&lt;span dir=&quot;LTR&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-family:courier new;&quot;&gt;&#8204;&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;/strong&gt;&lt;strong&gt;&lt;span style=&quot;font-family:b nazanin;&quot;&gt;رساناهای دوبعدی ترکیب شود، ساختار&#8204;ها&lt;/span&gt;&lt;/strong&gt;&lt;strong&gt;&lt;span dir=&quot;LTR&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-family:courier new;&quot;&gt;&#8204;&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;/strong&gt;&lt;strong&gt;&lt;span style=&quot;font-family:b nazanin;&quot;&gt;ی هیبریدی واندروالسی تشکیل می&#8204;دهد که این افزاره&#8204;ها دارای رفتارهای غیرقابل&#8204;پیش&#8204;بینی است. ما، در این مقاله به&#8204;صورت نظری ساختار هیبریدی متشکل از گرافن و دی&#8204;سولفید تنگستن &amp;nbsp;را مدل بندی کرده&#8204;ایم که پیوند این دو ایجاد سد شاتکی می&#8204;کند. اعمال میدان خارجی ارتفاع سد شاتکی را از مقدار اولیه &lt;/span&gt;&lt;/strong&gt;&lt;strong&gt;&lt;span dir=&quot;LTR&quot; style=&quot;position:relative;top:3.0pt;&quot;&gt; &lt;/span&gt;&lt;/strong&gt;&lt;strong&gt;&lt;span dir=&quot;LTR&quot;&gt;&lt;/span&gt;&lt;/strong&gt;&amp;nbsp;&lt;strong&gt;&lt;span style=&quot;font-family:b nazanin;&quot;&gt;به &lt;/span&gt;&lt;/strong&gt;&lt;strong&gt;&lt;span dir=&quot;LTR&quot; style=&quot;position:relative;top:3.0pt;&quot;&gt; &lt;/span&gt;&lt;/strong&gt;&lt;strong&gt;&lt;span dir=&quot;LTR&quot;&gt;&lt;/span&gt;&lt;/strong&gt;&amp;nbsp;&lt;strong&gt;&lt;span style=&quot;font-family:b nazanin;&quot;&gt;الکترون&#8204;ولت تغییر می&#8204;دهد که سبب افزایش جریان اشباع معکوس از مقدار اولیه&lt;/span&gt;&lt;/strong&gt;&lt;strong&gt;&lt;span dir=&quot;LTR&quot; style=&quot;position:relative;top:3.0pt;&quot;&gt; &lt;/span&gt;&lt;/strong&gt;&lt;strong&gt;&lt;span dir=&quot;LTR&quot;&gt;&lt;/span&gt;&lt;/strong&gt;&lt;strong&gt;&lt;span style=&quot;font-family:b nazanin;&quot;&gt;&amp;nbsp;تا &lt;/span&gt;&lt;/strong&gt;&lt;strong&gt;&lt;span dir=&quot;LTR&quot; style=&quot;position:relative;top:3.0pt;&quot;&gt; &lt;/span&gt;&lt;/strong&gt;&lt;strong&gt;&lt;span dir=&quot;LTR&quot;&gt;&lt;/span&gt;&lt;/strong&gt;&lt;strong&gt;&lt;span style=&quot;font-family:b nazanin;&quot;&gt;&amp;nbsp;آمپر شده است و پیرو آن جریان ترومویونی افزایش خواهد داشت که قابلیت بهره&#8204;برداری از این ساختار ها در آشکارسازی برای افزایش پاسخ&#8204;دهی نوری&amp;nbsp; و بهره را ممکن می&#8204;سازد.&lt;/span&gt;&lt;/strong&gt;&lt;span dir=&quot;LTR&quot;&gt;&lt;/span&gt;</abstract_fa>
	<abstract>Transition metal dichalgocenides are new generated materials which became attractive for nano photonic and nano electronic applications, because of their unique properties. Also 2D materials like grapheme which is guasi metal, if combined with to 2D semiconductors, make vanderwaals heterostructures which have unpredictable behaviour. In our paper, we &amp;nbsp;theoretically study heterostructure based on graphene and tungsten disulfide that their contact make schottky barrier height. We reduced SBH from &amp;nbsp;to &amp;nbsp;electron volt by applying external field that results in increasing reverse saturation current from &amp;nbsp;to ampere. Therefore the enhancement of thermionic current, enables the capability of using these structures in detectors for increasing photoresponse and gain.</abstract>
	<keyword_fa>« دی چالکوجناید فلزات واسطه,ساختار هیبریدی, سد شاتکی, گرافن, مواد دوبعدی »</keyword_fa>
	<keyword>Graphene, heterostructure, schottky barrier, transition metal dichalgocenide, two dimensional materials.</keyword>
	<start_page>1005</start_page>
	<end_page>1008</end_page>
	<web_url>http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-2030&amp;slc_lang=fa&amp;sid=1</web_url>


<author_list>
	<author>
	<first_name>Saba</first_name>
	<middle_name></middle_name>
	<last_name>Sepahban Shahgoli</last_name>
	<suffix></suffix>
	<first_name_fa>صبا</first_name_fa>
	<middle_name_fa></middle_name_fa>
	<last_name_fa>سپه بان شاهگلی</last_name_fa>
	<suffix_fa></suffix_fa>
	<email></email>
	<code>10031947532846008445</code>
	<orcid>10031947532846008445</orcid>
	<coreauthor>Yes
</coreauthor>
	<affiliation>Research Institute for Applied Physics &amp; Astronomy, University of Tabriz</affiliation>
	<affiliation_fa>دانشگاه تبریز</affiliation_fa>
	 </author>


	<author>
	<first_name>Seyed Farshad</first_name>
	<middle_name></middle_name>
	<last_name>Akhtariyan far</last_name>
	<suffix></suffix>
	<first_name_fa>سید فرشاد</first_name_fa>
	<middle_name_fa></middle_name_fa>
	<last_name_fa>اختریان فر</last_name_fa>
	<suffix_fa></suffix_fa>
	<email></email>
	<code>10031947532846008446</code>
	<orcid>10031947532846008446</orcid>
	<coreauthor>No</coreauthor>
	<affiliation>Research Institute for Applied Physics &amp; Astronomy, University of Tabriz</affiliation>
	<affiliation_fa>دانشگاه تبریز</affiliation_fa>
	 </author>


	<author>
	<first_name>Saeid</first_name>
	<middle_name></middle_name>
	<last_name>Shojaei</last_name>
	<suffix></suffix>
	<first_name_fa>سعید</first_name_fa>
	<middle_name_fa></middle_name_fa>
	<last_name_fa>شجاعی</last_name_fa>
	<suffix_fa></suffix_fa>
	<email></email>
	<code>10031947532846008447</code>
	<orcid>10031947532846008447</orcid>
	<coreauthor>No</coreauthor>
	<affiliation>Research Institute for Applied Physics &amp; Astronomy, University of Tabriz</affiliation>
	<affiliation_fa>دانشگاه تبریز</affiliation_fa>
	 </author>


</author_list>


	</article>
</articleset>
</journal>
