fa رفتار جذب یکسویه در بلور فوتونی سه تایی شامل گرافن و لایه نقص MoS2 تخصصی Special پژوهشي Research <strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">تک&shy;لایه&shy;های گرافن و مولیبدینییوم دی&shy;سولفاید </span></span></strong><span dir="LTR">(MoS₂)</span><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">&nbsp; به&shy;تنهایی به دلیل ضخامت کم جذب ناچیزی دارند.</span></span></strong><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> ترکیب این نوع مواد در ساختار بلور فوتونی می&shy;تواند سبب افزایش جذب ساختار &shy;شود. در این کار</span></span></strong><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">، ساختار</span></span></strong><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">ی از</span></span></strong><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> بلور فوتونی با تناوب </span></span></strong><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">سه&shy;تایی</span></span></strong> <strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">به&shy;شکل </span></span></strong><span dir="LTR">(ABG)ⁿCMoS₂C (GBA)^m</span> <strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">پیشنهاد شده که در آن لایه&shy;های</span></span></strong> <span dir="LTR">A</span><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">، </span></span></strong><span dir="LTR">B</span><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> و </span></span></strong><span dir="LTR">C</span><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> مواد دی&shy;الکتریک</span></span></strong><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">،</span></span></strong><span dir="LTR">G </span><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">&nbsp;نشان دهنده لایه گرافن وترکیب </span></span></strong><span dir="LTR">CMoS₂C</span><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> به عنوان لایه&shy;ی نقص می&shy;باشند.</span></span></strong><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> طیف جذبی ساختار با استفاده از روش ماتریس انتقال بررسی شده است. نتایج نشان می&shy;دهند که ساختار فوق در ناحیه طیف مرئی رفتار جذب یک&shy;سویه دارد. اثر مکان لایه&shy;ی نقص، قطبش و راستای میدان تابشی </span></span></strong><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">در رفتار جذب یکسویه مطالعه و بهینه شده &shy;است. </span></span></strong><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">مکان</span></span></strong><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> مد جذبی مستقل از نوع قطبش بوده ولی شدت پیک و پهنای آن در قطبش </span></span></strong><span dir="LTR">TE</span><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> بسته به جهت تابش با تغییر زاویه رفتار متفاوت دارد.</span></span></strong><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> لازم به ذکر است که وجود لایه گرافن باعث افزایش جذب ساختار می&shy;شود.</span></span></strong> Graphene and MoS₂ monolayers have little absorption due to their very low thickness. By introducing those materials in structure of a photonic crystal (PC), can increase the absorption. In this work, a PC structure with ternary periodicity in the form of (ABG)ⁿ CMoS₂C (GBA)^mis proposed, where A, B and C layers are the dielectric materials, G is denoting the Graphene and the segment CMoS₂C is introduced as the defect layer. The absorption spectrum of the structure is investigated using the transfer matrix method. The results show that this structure has the one-way absorption in the visible spectral region. The effect of the defect layer location, the polarization and the direction of the incident field on one-way absorption behavior is studied and optimized. The location of the absorption mode is independent of the polarization type but its peak intensity and width in TE polarization dependent on incident direction varies by angle of incident. It should be mentioned that incorporating of graphene yield to enhancement of the absorption. بلور فوتونی سه‌تایی, تک لایه‌ی MoS2, جذب یکسویه, گرافن Ternary photonic crystal, MoS2 monolayer, One-way absorption, Graphene 1037 1040 http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-2022&slc_lang=fa&sid=1 Nayyer Pourgorban نیر پورقربان 10031947532846008419 10031947532846008419 Yes Department of Physics, Azarbaijan Shahid Madani University دانشگاه شهید مدنی آذربایجان Fatemeh Moslemi فاطمه مسلمی 10031947532846008420 10031947532846008420 No Department of Physics, Azarbaijan Shahid Madani University دانشگاه شهید مدنی آذربایجان Kazem Jamshidi-ghaleh کاظم جمشیدی قلعه 10031947532846008421 10031947532846008421 No Department of Physics, Azarbaijan Shahid Madani University دانشگاه شهید مدنی آذربایجان