fa اثر بلور فوتونی نقص‌دار متقارن و نامتقارن شامل تک‌لایه‌ی MoS2 بر ‌مد نقص تخصصی Special پژوهشي Research <strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">امروزه بلورهای دو بعدی موبیلدیم دی سولفات </span></span></strong><span dir="LTR">MoS₂</span><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> به علت داشتن جذب بالا با وجود ضخامت نانومتری‌یشان، بسیار مورد توجه قرار گرفته‌اند. یکی از روش‌های مرسوم برای افزایش جذب، قرارگیری تک ‌لا‌یه‌ی </span></span></strong><span dir="LTR">MoS₂</span><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> به صورت نقص در بلور فوتونی می‌باشد. در این مقاله بلور، جذب های فوتونی نقص‌دار با ساختارهای نامتقارن و متقارن </span></span></strong><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">برای </span></span></strong>&nbsp;<strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">نقص به دو صورت </span></span></strong><span dir="LTR">MDM</span><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> و </span></span></strong><span dir="LTR">DMD</span><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> با یکدیگر مقایسه شده‌اند. با تغییر ضخامت لایه‌ی نقص </span></span></strong><span dir="LTR">D</span><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">، اثر آن بر روی طول موج مد نقص بررسی گردید. جذب ساختارها با استفاده از روش ماتریس انتقال بدست می‌آید. با استفاده از ساختارهای پیشنهادی می‌توان به جذب بالای 93 درصد در طول موج طراحی و حدود 90 درصد در طول موج‌های لبه‌های گاف نواری با تغییر در ضخامت لایه‌ی نقص رسید.</span></span></strong> Nowadays, two-dimensional materials MoS₂ have received a lot of attention due to its high absorption despite their nanometer thickness. One of the most common methods to increase absorption is to insert monolayer MoS₂ as a defect in photonic crystals. In this paper the absorption spectrum of the structures antisymmetric and symmetric defective photonic crystals with two different defects (DMD and MDM) are compared. The influences of altering the thickness of defect layer D on wavelength of defect mode are investigated. Transfer matrix method is used to calculate absorption. More than 93 percent absorption in design wavelength and near 90 percent in wavelength of edge band gap could be obtained by proposed structures. بلورهای دوبعدی, بلور فوتونی نقص دار, جذب, روش ماتریس انتقال, موبیلدیم دی سولفات. Absorption, Defective photonic crystal, Mobilidium disulfate, Two-dimensional materials, Transfer matrix method. 289 292 http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-2018&slc_lang=fa&sid=1 Narges Ansari نرگس انصاری 10031947532846008407 10031947532846008407 Yes Department of Physics, Alzahra University, Tehran, Iran دانشگاه الزهرا Kimia Mirbaghestan کیمیا میرباغستان 10031947532846008408 10031947532846008408 No Department of Physics, Alzahra University, Tehran, Iran دانشگاه الزهرا