fa بررسی تئوری آشکارساز مادون قرمز نقطه کوانتومی ژرمانیوم/سیلیکن تخصصی Special پژوهشي Research <span style="font-family:b nazanin;">در این مقاله ما از یک مدل نسبتا دقیق به منظور مطالعه تئوری </span><span style="font-family:b nazanin;">جریان تاریکی و نوری آشکارساز مادون قرمز نقطه کوانتومی </span><span dir="LTR"><span style="font-size:10.0pt;">Ge/Si</span></span> <span style="font-family:b nazanin;">که ساختار نواری متفاوتی را نسبت به نظایر آن در گروه سه - پنچ همچون </span><span dir="LTR"><span style="font-size:10.0pt;">InAs/GaAs</span></span><span style="font-family:b nazanin;"> &nbsp;دارند،</span> <span style="font-family:b nazanin;">استفاده کرده</span><em><span style="color:black;"><span style="font-family:b nazanin;">&shy;</span></span></em><span style="font-family:b nazanin;">ایم. در بررسی</span><em><span style="color:black;"><span style="font-family:b nazanin;">&shy;</span></span></em><span style="font-family:b nazanin;">مان، فرض کرده</span><em><span style="color:black;"><span style="font-family:b nazanin;">&shy;</span></span></em><span style="font-family:b nazanin;">ایم که هر دو مکانیزم تونل</span><em><span style="color:black;"><span style="font-family:b nazanin;">&shy;</span></span></em><span style="font-family:b nazanin;">زنی میدانِ کمکی و انتشار حرارتی در تعیین اندازه جریان تاریکی سهیم هستند. وابستگی جریان تاریکی آشکارسازهای نقطه کوانتومی به دما و ولتاژ، همچنین سهم تونل زنی میدانِ کمکی و انتشار حرارتی در دماها و ولتاژهای متفاوت در آشکارساز بررسی شده اند. پیش بینی می شود با توجه به نتایج بدست آمده، مقدار جریان تاریکی در نقاط کوانتومی </span><span dir="LTR"><span style="font-size:10.0pt;">Ge/Si</span></span><span style="font-family:b nazanin;"> نسبت به نظایر آن در گروه سه </span>&ndash;<span style="font-family:b nazanin;"> پنچ کوچکتر باشد. در نتیجه این ساختارها از قابلیت آشکارسازی بهتری برخوردار هستند.</span><em><span style="font-family:b nazanin;"></span></em> In the article, we have used an accurate model for theoretical studying of dark and illumination characteristics of Ge/Si quantum dot infrared photodetector. In our considerations it is assumed that both thermionic emission and field-assisted tunnelling mechanisms determine the dark current of quantum dot detector. Dependence of the QDIPs dark current to the temperature and voltage bias, and also the thermionic emission and field-assisted tunneling at various temperatures and biasing voltages are investigated. Our results predict that the dark current of Ge/Si quantum dot is smaller than other materials of Ⅲ-Ⅴ groups such as InAs/GaAs and as a result, detectivity in photodetectors can be improved. نقطه کوانتوم, سیلیکن-ژرمانیوم, جریان تاریکی, آشکارساز نوری. Quantum dots, Silicon-Germanium, dark current, photodetectors 821 824 http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-1896&slc_lang=fa&sid=1 Mohammad Gholipour محمد فلی پور 10031947532846008007 10031947532846008007 Yes دانشگاه تربیت مدرس Davood Fathi داود فتحی 10031947532846008008 10031947532846008008 No دانشگاه تربیت مدرس Mahdi Gordi armaki مهدی گردی ارمکی 10031947532846008009 10031947532846008009 No دانشگاه تربیت مدرس