en سنتز پروسکایت دو بعدی و استفاده از لایه نشانی غوطه‎وری مناسب برای ساخت افزاره‎های الکترونیک نوری تخصصی Special پژوهشي Research <strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">در این پژوهش سنتز پروسکایت دو بعدی رادلسدن پاپر که علاوه بر برخورداری از مزایای شناخته شده پروسکایت سه</span></span></strong><span dir="LTR">&lrm;</span><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">بعدی از جمله جذب نوری بالا و مشخصات انتقال حامل خوب عیب بزرگ ناپایداری را به طور قابل توجه</span></span></strong><span dir="LTR">&lrm;</span><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">ی برطرف کرده است، گزارش می شود.در این مقاله از مولکول</span></span></strong><span dir="LTR">&lrm;</span><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">های بزرگ و پایدار و مقاوم به حرارت و رطوبت بوتیل آمین استفاده شد تا یک لایه از پروسکایت سرب تترایدید را احاطه کنند و مانع از نفوذ حرارت و رطوبت به لایه</span></span></strong><span dir="LTR">&lrm;</span><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">ی پروسکایت شده و پایداری را افزایش می</span></span></strong><span dir="LTR">&lrm;</span><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">دهند.وجود این مولکول&rlm;های حائل باعث افزایش ثابت شبکه نسبت به حالت سه بعدی می</span></span></strong><span dir="LTR">&lrm;</span><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">گردد و محدود سازی کوانتومی در دو بعد باعث افزایش گاف انرژی می شود. این ماده به روش&nbsp; غوطه</span></span></strong><span dir="LTR">&lrm;</span><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">وری لایه نشانی شد و با انجام آزمایش</span></span></strong><span dir="LTR">&lrm;</span><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">های طیف جذب نوری و نورتابناکی گاف انرژی آن 5/2 الکترون ولت و بیشترین مقدار نورتابناکی 21/2</span></span></strong> <strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">&nbsp;الکترون ولت اندازه گیری شد.</span></span></strong><span dir="LTR"></span> In this paper synthesis of <a name="OLE_LINK4"></a><a name="OLE_LINK3">Ruddlesden</a>-Popper tow dimensional Perovskite (RPPs) is reported. Not only has this kind of Perovskite (PVK) its 3D counterpart advantageous such as high absorption coefficient and good carrier transport properties but also its stability has been improved. In this work BA molecule which is stable, heat and humid resistive and big enough to cover a mono layer of lead tetra iodide was used to prevent heat and humidity to reach PVK layer and stabilize it. The existence of spacer molecule increase lattice constant and quantum confinement enlarge band gap. After Dip-coating photoluminescence (PL) and photo absorption spectroscopy test was done and band gap was measured 2.5eV and PL pick was 2.21eV. افزاره های الکترونیک نوری, پروسکایت دو بعدی, پایداری ,رادلسدن پاپر ,لایه نشانی غوطه‎وری Optoelectronic devices, 2D Perovskite, Stability, Ruddlesden-Popper, Dip-coating 1125 1128 http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-1834&slc_lang=en&sid=1 Parsa Darman پارسا درمان 10031947532846007805 10031947532846007805 Yes Faculty of Electrical and Computer Engineering, Tarbiat Modares University, Tehran, Iran دانشگاه تربیت مدرس Sara Darbari سارا درباری 10031947532846007806 10031947532846007806 No Faculty of Electrical and Computer Engineering, Tarbiat Modares University, Tehran, Iran دانشگاه تربیت مدرس